半導体ができるまで

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Silicon Substrate

単結晶シリコンを作成し、チップ製造工程で処理しやすい形状のウェーハに加工します。

Oxidation and Nitride film deposition

熱処理装置の中にウェーハを入れて酸素ガスを流入し、高温でシリコン酸化膜を成長させる。続いて、シランとアンモニアのガスを流入し、その上にシリコン窒化膜をCVD法により推積させる。