東京エレクトロン株式会社（東京都港区、社長：佐藤潔）は、2008年3月に、低温プロセス領域を含む幅広い温度帯でTi（チタン：Titanium）膜が形成可能で且つ生産性も向上した300mm対応メタルCVD装置「Trias® HP Ti」を受注開始し、現在までに主要メモリ顧客に装置を納入し、量産ラインにて採用開始されています。この度、「Trias® HP Ti」に続いて、2009年春、高埋め込み性能と高い生産性を有する300mm対応メタルCVD装置「Trias® HP W」を市場にリリースいたします。

　「Trias® HP W」は、これまで多くの半導体量産工場で優れた量産実績と高い信頼性を誇るTrias® Wのシリーズ製品として微細化に伴う高埋め込み性能と高い生産性要求に応えるために開発された装置です。本装置は、既に量産実績のあるTrias® Wの技術をもとに、プロセスレシピの最適化、チャンバークリーニングレシピの最適化、搬送スピード向上のための搬送系の改善などハードウェアの機能拡張を盛り込むことで、微細ホールでの埋め込み性能向上を確保したまま生産性の劇的な改善に成功しました。

　東京エレクトロンは、これからも技術イノベーションを追求するお客様とともに、市場ニーズに応えるべく最良のソリューションを提供していきます。
(注) HP ：high performance