SiCエピタキシャル膜成膜装置は、炭化ケイ素（Silicon Carbide）結晶基板上に、エピタキシャル成長法により結晶成長を行う成膜装置です。

対象製品

SiCエピタキシャル膜成膜装置
Probus-SiC

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Probus-SiCは、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。