SiCエピタキシャル成膜装置

SiCエピタキシャル成膜装置は、炭化ケイ素(Silicon Carbide)結晶基板上に、エピタキシャル成長法により結晶成長を行う成膜装置です。

対象製品

SiCエピタキシャル成膜装置
Probus-SiC

Probus-SiCは、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。

製品情報

  • 半導体製造装置
    • サーマルプロセス
    • コータ/デベロッパ
    • エッチング
    • サーフェスプレパレーション
    • 枚葉成膜
    • テストシステム
    • ウェーハボンディング/デボンディング
    • SiCエピタキシャル成膜装置
    • ガスクラスターイオンビーム装置
    • 先端パッケージング
  • フラットパネルディスプレイ製造装置
    • FPDコータ/デベロッパ
    • FPDプラズマエッチング/アッシング
    • 有機ELパネル製造用インクジェット描画装置
  • フィールドソリューション
  • 半導体の製造プロセス