製品一覧

熱処理成膜装置

熱を利用したLPCVD(減圧・化学的気相成長)装置および酸化装置は、半導体製造プロセスにおいて、主にトランジスタ周辺の薄膜を形成するために用いられます。また、微細化に伴うパターンの超極小・深溝化に対しては、ALD(原子層堆積)技術により薄膜制御の高精度化を実現しています。

東京エレクトロンは従来のホットウォール式の特長を活かしつつ、高速熱処理などによるさらなる生産性の向上、各種アプリケーションへの適切な成膜手法をご提案することにより、お客様より高い信頼をいただいております。

熱処理成膜装置
TELFORMULA

熱処理成膜装置
TELINDY PLUS

プラズマアシスト型バッチALDシステム
TELINDY PLUS IRad

ALD装置
NT333

磁場中熱処理装置
MRT300

磁場中熱処理装置
MRT5000

磁場中熱処理装置
MRT200

磁場中熱処理装置
MATr

着磁装置
MATrSM

TELFORMULA、TELINDY PLUS、IRadおよびNT333は、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。

枚葉成膜

東京エレクトロンの枚葉成膜装置は、最新300mmプラットフォームTriase+を中心に、バラエティに富んだプロセスモジュールをクラスター化させることで高い付加価値を提供しています。その中の代表的なプロセスモジュールであるTi、TiN、Wのメタル成膜装置は、プラグ形成工程や電極工程などに長年ご採用いただき高い評価を得ています。 SPAシリーズはユニークなハードウェアを活用し、低温プラズマ処理装置としてFEOLのニーズに対応して実績を伸ばしています。また、High-k成膜装置は最先端のゲートスタック工程に採用いただき、デバイスの高速化、省電力化に貢献しています。

枚葉プラズマ処理装置
Triase+ SPAi

枚葉成膜装置
Triase+ Ti/TiN

枚葉成膜装置
Triase+ W

枚葉成膜装置
Triase+ High-k CVD

TriasおよびTriase+は、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。

ガスケミカルエッチング装置

Certasは、洗浄液を使用せずに表面エッチングやクリーニングを行うことができる、環境に優しい高生産性型のガスケミカルエッチング装置です。
システムは高信頼性のTeliusをベースに最適化を行い、また新設計チャンバーにより従来機比較で2倍のハイスループット、および省フットプリントを達成しました。各種酸化膜エッチングにおける高選択比や高精細エッチング制御を特徴とし、量産ラインや次世代/次々世代デバイス開発で必要なアプリケーションに対応しています。

ガスケミカルエッチング装置
Certas WING

ガスケミカルエッチング装置
Certas LEAGA

Certas WINGおよびCertas LEAGAは、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。

SiCエピタキシャル成膜装置

SiCエピタキシャル成膜装置は、炭化ケイ素(Silicon Carbide)結晶基板上に、エピタキシャル成長法により結晶成長を行う成膜装置です。

SiCエピタキシャル成膜装置
Probus-SiC

Probus-SiCは、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。

テストシステム

半導体製造装置による様々なプロセスを経たウェーハ上には、数百から数千個のICが作られています。テストシステムは、ウェーハ上に形成されたICが製品として正しく動作するかを検査するシステムです。東京エレクトロンのテストシステムの主力製品であるウェーハプローバは、テスターに接続され、ウェーハ上のICの電極に対して針をあて、電気的検査を可能にする装置です。ICチップの製品保証温度での測定を可能とするために、装置には高温(300, 150℃)から低温(-55℃)までの環境温度(チャック温度)を精度良くコントロールする機能など、様々なニーズを満たす最先端機能を備えています。

ウェーハプローバ
Precio XL

ウェーハプローバ
Precio nano/Precio

ウェーハプローバ
Precio octo

ウェーハ/ダイシングフレームプローバ
WDF 12DP+

マルチセルテストシステム
Cellcia

高速針痕自動検査装置
TELPADS -O

ウェーハプローバ用データ管理システム
PN-300

ウェーハプローバ用データ管理システム
N-PAF

Precio、Precio nano、Precio octo、WDF、TELPADSおよびCellciaは、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。

FPDプラズマエッチング/アッシング

FPDコータ/デベロッパによって現像されたアレイ基板上には、フォトレジストにより描き出された回路パターンがあり、それをエッチング装置のチャンバー内でプラズマ状態となったエッチングガスが、成膜された各種薄膜をパターンに沿って削り取ります。

FPDプラズマエッチング/アッシング装置
HT Series

FPDプラズマエッチング/アッシング装置
Impressio

Impressioは、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。

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