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2011.07.19

SiCエピタキシャル膜成膜装置Probus-SiC™が第17回 半導体・オブ・ザ・イヤーでグランプリを受賞

 東京エレクトロン株式会社(東京都港区、社長:竹中博司)は、半導体産業新聞主催の「第17回 半導体・オブ・ザ・イヤー」半導体製造装置部門で、SiCエピタキシャル膜成膜装置Probus-SiCTMがグランプリを受賞したことをお知らせいたします。

 半導体・オブ・ザ・イヤーは、株式会社産業タイムズ社が発行する半導体産業新聞が1994年から毎年開催しており、開発の斬新性や量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準に、半導体産業新聞の記者投票により受賞製品・技術が選定されます。

 Probus-SiCは、SiCエピタキシャル膜をSiC基板上に成長させる装置で、高品質のエピタキシャル膜を高い生産性で成膜することが可能です。
 今回の受賞では、業界初のSiC専用装置という新規性と成長性の2点が高く評価され、半導体製造装置部門でノミネートされた54点からグランプリとして選ばれました。
 SiCデバイスは、次世代パワーデバイスとして注目されており、今後、新たな市場が創造されることが期待されています。