International Memory Workshop

今回の話題は、5/13から5/16まで京都で開催されたIMW（International Memory Workshop）です。このワークショップでは半導体メモリ全般についてプロセス技術、設計技術、アプリケーション、マーケットニーズ、戦略などについて、世界各国のエンジニアが議論をおこなう場です。
今回は初めて日本での開催ということで、参加者の減少が懸念されましたが、例年の250名程度の参加者から今年は345名と、100名近く増加し、立見もでるほど盛況で熱い議論がおこなわれました。
注目の発表としては、96層の3D NANDが挙げられ、積層技術として２Tier構造を使用していることが公表されました。また最近注目を集めている、Hf系の強誘電体材料について、歴史や今後の見通しが報告され、メモリに使用される新しい材料としての期待が高まっています。ReRAM関連の発表の中心は抵抗材料から、セレクター材料の発表に移っており、抵抗材料の開発が一段落し、次のステージに移ったことを示唆しています。DRAMについても、周辺回路にFinFETを使う発表がなされるなど、さらに高性能化を狙っていることが伺えます。微細化の限界が近づいていると言われるメモリーデバイスですが、技術的にやることはまだまだ沢山ありそうです。