2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits

今回の話題は、6/18から6/22までハワイで開催された2018 Symposia on VLSI Technology and Circuitsです。このシンポジウムは「半導体デバイス・プロセス技術」と「半導体回路技術」に関する二つの学会が同じ会場で開催され、世界各国からエンジニアが参加しました。今年のテーマは「Technology, Circuit, and Systems for Smart Living」。さまざまな分野で活発な議論がおこなわれました。
ロジックデバイス関連の注目される発表は、EUVを採用した7nm世代のプラットフォーム技術や、ArF液浸露光+マルチパターニングを活用した8nm世代のプラットフォーム技術、第二世代のFinFET技術、最近注目されているNCFETなどがありました。
また、AIやNeuromorphicなどについてもそのアプリケーションから、デバイス・プロセス技術、回路技術に至るまで広い範囲での議論がおこなわれました。
メモリー関連ではNeuromorphic向け抵抗メモリー関連の発表やSTT-MRAMの微細化向け技術や、混載技術向けMRAMマクロ、STT-MRAMを超えて低消費電力化や高速化を狙ったSOT-MRAMやVoCSMの発表がありました。
微細化の壁が近づいていると言われる半導体ですが、まだまだ、性能を改善するために出来ることは沢山あり、これらを実現することが、Smart Livingを実現することだと、改めて実感させられます。