枚葉成膜装置Triase+™ EX-II™ TiON受注開始のお知らせ

製品情報 2016年08月08日

 東京エレクトロン株式会社(東京都港区、社長:河合利樹)は、枚葉メタル成膜装置Triase+TM EX-IITM TiONの受注を2016年8月より開始することをお知らせいたします。

 このたび受注を開始するTriase+ EX-II TiON(TiON:酸窒化チタン)は、TiN膜(TiN:窒化チタン)に酸素を含有させることができる高速枚葉ASFD*1装置です。Triase+ EX-II TiONは、Triase+ EX-II TiNシリーズの特徴であるチャンバー反応空間の最適化とユニークなガス導入機能を継承しています。本装置で生成されるTiON膜は、従来より用いられてきたTiN膜よりも高い仕事関数*2が実現できることからMIMキャパシタ*3の電極として使うことでリーク電流低減に効果があります。またTriase+ EX-II TiNから改造が可能であり、お客さまの投資コスト低減にも寄与します。

 東京エレクトロン株式会社 執行役員 兼 TFF BUGM 多田新吾は、「Triase+ EX-II TiONは、半導体製造プロセスで常に求められる微細化の要求に性能、コストの両面から貢献できる製品です。今後も幅広い成膜アプリケーションに対応するため、Triase+ EX-IIシリーズで扱うことのできる膜種の拡充に努めてまいります」と述べています。

 東京エレクトロンは、革新的な技術開発力を生かした高付加価値製品で、先端デバイスの技術課題に対して最適なソリューションを提案してまいります。

*1 ASFD:Advanced Sequential Flow Depositionの略。ナノスケールで低温かつ緻密な膜を成膜できる手法。
*2 仕事関数:固体から電子を取り出すために必要な最小のエネルギー。
*3 MIMキャパシタ:Metal(金属)-Insulator(絶縁膜)-Metal(金属)の略称。絶縁膜を金属で挟み込んだキャパシタ構造。


Trias、Triase+およびEX-IIは、東京エレクトロングループの日本およびその他の国における登録商標または商標です。

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