東京エレクトロン、産学官連携功労者表彰で内閣総理大臣賞受賞

お知らせ 2016年08月22日

 東京エレクトロン株式会社(東京都港区、社長:河合利樹)は、このたび、東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(宮城県仙台市、センター長:遠藤哲郎)とともに産学官連携功労者表彰*1において内閣総理大臣賞を受賞しましたのでお知らせいたします。

 この受賞は、「高性能不揮発性メモリとその評価・製造装置の開発、及び、国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発拠点の構築」に対するものです。

 東京エレクトロンは、2012 年10 月に設置された東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)で推進しているコンソーシアムに参画し、STT-MRAM*2の製造装置技術と、その集積化プロセス技術の早期確立を目指した研究開発を行っています。今回の受賞理由は、このような産学官オープンイノベーション拠点における、STT-MRAM向け製造装置の開発成果によるものであります。

 今回の受賞に際し、東京エレクトロン株式会社 社長・CEO 河合利樹は、「国家プロジェクト(官)の中で、東北大学(学)の学問に裏付けられた技術と当社(産)が培ってきた信頼性の高い技術を融合し共同開発を行ってきましたが、このたび、産学官連携の取り組みとして高く評価いただいたことをたいへん嬉しく思います。このような連携による成果が、産業界に大きく貢献すると同時に、人々の生活を豊かにする価値に繋がるものと確信しております」と述べています。

 東京エレクトロンは、今後も革新的な技術開発力を生かした高付加価値製品で、先端デバイスの技術課題に対して最適なソリューションを提案してまいります。

*1 産学官連携功労者表彰:企業、大学、公的研究機関等の産学官連携活動において、大きな成果を収め、あるいは先導的な取り組みを行うなど、産学官連携活動の推進に多大な貢献をした優れた成功事例に関し、その功績を称えることで我が国の産学官連携活動の更なる進展に寄与することを目的に、平成15年より行われている。

*2 STT-MRAM(Spin Transfer Torque - Magnetoresistive Random Access Memory):磁気抵抗変化現象を用いたメモリ。特に、 高速ランダムアクセス性能と、電源を切ってもデータ保持をする低消費電力化性能から次世代の高速・低消費電力メモリとして、混載メモリ、メインメモリ、ロジック等への応用が期待されているメモリ。

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