ガスクラスターイオンビーム装置(ドーピング技術/トリミング技術)

東京エレクトロンは、ガスクラスターイオンビーム(GCIB)技術により、ウェーハ表面処理のばらつきをきわめて精密な制御プロセスを通じて低減し、歩留まり向上を可能とします。

直進性の高い高エネルギーのケミカルビームを利用して高精度の修正エッチングを行うことで、RF、MEMSなどのデバイスプロセスに新たなインテグレーションスキームを提供します。

UltraTrimmer 30 Corrective Etchは、ガスクラスターイオンビームの特性を生かした最先端技術によるユニークな処理を実現します。

修正エッチング/トリミングとは?

修正エッチング/トリミングとは、ウェーハごとの測定データ情報から、修正プロファイルを自動生成してエッチングする事です。この工程には2つのステップがあります。まず、膜厚やパターン形状、デバイス(周波数)パラメータなどの測定値をマッピングし、それらを基に修正エッチングに必要なパラメータや電気的特性を算出します。次に、ウェーハスキャン速度を制御しながら、ウェーハ上の位置の関数としてエッチング量を算出し修正エッチングを行います。こうして、膜厚のばらつきをサブナノメートルの精度まで低減します。さらに数オングストロームまで精度を上げることも可能です。その結果、デバイスのパラメータを改善してウェーハ歩留まりを高めることが可能となります。東京エレクトロンのLocation Specific Processing(LSP)技術に基づく修正エッチング処理は、上流・下流プロセスのばらつきを正確に補正する手法です。

材料改質とは?

GCIB装置では、直進性の高い高エネルギーのケミカルビームを利用してウェーハ表面の特質を改善します。処理にあたっては、精密エッチング、各種の化学的改変、界面加工などの工程・技法が用いられます。

対象製品

ガスクラスターイオンビーム装置
UltraTrimmer 30 Corrective Etch

製品情報

  • 半導体製造装置
    • サーマルプロセス
    • コータ/デベロッパ
    • エッチング
    • サーフェスプレパレーション
    • 枚葉成膜
    • テストシステム
    • ウェーハボンディング/デボンディング
    • SiCエピタキシャル成膜装置
    • ガスクラスターイオンビーム装置
    • 先端パッケージング
  • フラットパネルディスプレイ製造装置
    • FPDコータ/デベロッパ
    • FPDプラズマエッチング/アッシング
    • 有機ELパネル製造用インクジェット描画装置
  • フィールドソリューション
  • 半導体の製造プロセス