
熱を利用したLPCVD(減圧・化学的気相成長)装置および酸化装置は、半導体製造プロセスにおいて、主にトランジスタ周辺の薄膜を形成するために用いられます。また、微細化に伴うパターンの超極小・深溝化に対しては、ALD(原子層成膜)技術により薄膜制御の高精度化を実現しています。
東京エレクトロンは従来のホットウォール式の特長を活かしつつ、高速熱処理などによるさらなる生産性の向上、各種アプリケーションへの適切な成膜手法をご提案することにより、お客様より高い信頼をいただいております。
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