ウェーハボンディング/デボンディング

ウェーハボンディング/デボンディングとは?

半導体の性能を向上する手段としては微細化がありますが、TSV(Through Silicon Via)を用いた3次元実装技術による半導体の性能向上が注目されています。ウェーハボンディング装置は、2枚のウェーハをはり合せる装置であり、代表的な例としては接着剤を用いたテンポラリーウェーハボンディングと、酸化膜同士を自己接合手法ではり合せるパーマネントウェーハボンディングがあります。デボンディング装置は、一時的にはり合わせられたウェーハ同士をTSV工程終了後に剥離する装置であり、厚さ50um以下の大変薄いウェーハを搬送および加工できる新開発の特殊機能を有しています。

対象製品

ウェーハボンディング/デボンディング装置
Synapse V / Synapse Z Plus

ウェーハボンディング装置
Synapse S

Synapseは、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。

製品情報

  • 半導体製造装置
    • サーマルプロセス
    • コータ/デベロッパ
    • エッチング
    • サーフェスプレパレーション
    • 枚葉成膜
    • テストシステム
    • ウェーハボンディング/デボンディング
    • SiCエピタキシャル成膜装置
    • ガスクラスターイオンビーム装置
    • 先端パッケージング
  • フラットパネルディスプレイ製造装置
    • FPDコータ/デベロッパ
    • FPDプラズマエッチング/アッシング
    • 有機ELパネル製造用インクジェット描画装置
  • フィールドソリューション
  • 半導体の製造プロセス