日本の産業革新機構が出資するトランスフォーム社は、2015年に最初の耐圧650VのGaNパワートランジスタを発売した。さらに2016年の9月には、電源メーカーのテレコディウム社と共同で、電源システム効率が94%と高い電源を開発している。この結果、従来のシステムと比べ、30%も体積が小型になったという。同社は、データセンターや通信機器用の電源を狙っており、標準規格団体JEDECが認める唯一の耐圧650Vパワートランジスタのメーカーだとしている（参考資料2）。

日本のパナソニックもGaNトランジスタを手掛けており、サンプル出荷の段階までこぎつけている。同社が狙う市場は、ソーラー発電の直流を交流に変換するパワーコンディショナー、自動車、サーバー電源、モーター制御などだ。製品の特長は、ノーマリオフ型に制御し、さらにGaNの結晶欠陥（トラップ）による電流の減少を、p型領域の導入でカバーしたことにある。そのGaNトランジスタはX-GaNと呼ばれ、すでにサンプル出荷が始められた。同社のプロモーションビデオでは、パワーアシストスーツ^＊3のモーターを駆動するための半導体トランジスタとして、GaNを紹介している。これまでのシリコンMOSFETやIGBTでは、電子回路基板が大きくなり小さな筐体には収まらないが、GaNでは小型にできるのが大きなメリットだ。

GaNの商用化でリードしているのは、米国のEPC社だ。同社は、かつてインターナショナルレクティファイア社のCEOを務めていたアレックス・リドー氏が創立した、GaNのベンチャー企業である。そのため同社はGaNに特化しており、トランジスタやICをすでに製品化しているほか、実績ベースの信頼性データも公表している。それによると、数百万デバイスの信頼性試験とフィールドテストを行ってきており、デバイス×動作時間の見積もりでは0.1FIT（１FITは10億時間当たりの故障数）以下だと、同社のビデオ（参考資料3）でリドー氏は述べている。

GaNやSiCはシリコンに代わる新しいパワー半導体材料である。特に、GaNはシリコン上に形成できるため、世界トップのファウンドリ（製造に特化した請負企業）TSMC社も手掛けており、普及という点ではSiCよりも一歩リードしている。ただし、SiC専門のファウンドリ企業も出てきており、今後の巻き返しが期待される。次回の連載最終回では、SiCとGaNの市場見込みや実用化について考察していく。