半導体用語集

  • A-B-C
  • D-E-F
  • G-H-I
  • J-K-L
  • M-N-O
  • P-Q-R
  • S-T-U
  • V-W-X
  • Y-Z
  • あ行
  • か行
  • さ行
  • た行
  • な行
  • は行
  • ま行
  • や行
  • ら行
  • わ行

用語集 TOP

A-B-C

ASIC

読み方:
エイシック
フルスペル:
Application Specific Integrated Circuit
別名:
特定用途向けIC

ある特定の用途に特化した半導体ユーザーの要求に合わせて、カスタム化あるいはセミカスタム化した半導体の総称。セミカスタム化したものはゲートアレイ、スタンダードセル、FPGAなどがある。

BGA

読み方:
ボールグリッドアレイ
フルスペル:
Ball Grid Array

略称はBGA。ICパッケージを形状から分類したタイプのひとつで、パッケージの下面に入出力端子となるハンダのボールがマトリックス(格子)状に配置されているのが特徴。ハンダボールを高温に熱して溶かし、基板表面に実装する。多数のピンを設けることができるためピン数の多いLSIによく使われる。(参照:「リフロー」)

Bi-CMOS

読み方:
バイシーモス
フルスペル:
Bipolar-Complementary Metal-Oxide Semiconductor

バイポーラ・トランジスタとCMOSトランジスタを組み合わせて同一チップ上に作ったIC。バイポーラの高速性、高電流駆動能力とCMOSの低消費電力の優れた特性を同時に生かすことができる。74シリーズなど標準ロジックによく使われる。

CCD

読み方:
シーシーディー
フルスペル:
Charge Coupled Device

電荷結合素子のことで、電子の眼にあたる半導体。平面上に並んだ多数の受光素子に画像となる光を当て、発生した電荷を次々と転送する仕組み。デジタルカメラ、スキャナーに多く搭載。

CMOS

読み方:
シーモス
フルスペル:
Complementary Metal-Oxide Semiconductor

相補性金属酸化膜半導体のこと。電力消費量が少なく小さな面積に大量の素子を詰め込むことができる。PMOSとNMOSのふたつのトランジスタを組み合わせたもので、状態が変化したときのみ電流が流れ、静止時にはほとんど流れない。現在のLSI技術の本流。

CMOSイメージセンサー

読み方:
シーモスイメージセンサー
フルスペル:
CMOS Image Sensor

CMOSセンサー技術を使用した低消費電力のイメージ・センサー。CCD(電荷結合素子)の約1/10の消費電力で動作し、単一の電圧で稼動できること、周辺回路を一体化できるメリットを持つが、高画質化が難しいと一般的に言われている。携帯電話やWebカメラなど、比較的低価格なデジタルカメラでよく使われる。

CMP

読み方:
シーエムピー
フルスペル:
Chemical Mechanical Polishing
別名:
化学的かつ機械的な複合研磨

シリカ粒子を含んだ研磨液(スラリー)をウェーハ表面に流しながら、スピンドルに貼り付けたウェーハを回転テーブル表面の研磨パッドに圧着させて研磨する方法。絶縁膜系、メタル系2つの分野がある。

COB (Chip On Board)

読み方:
チップオンボード
フルスペル:
Chip On Board

プリント配線基板の上に、パッケージに入っていない裸のLSIチップ(ベアチップ)を直接実装する方法。チップ電極と基板配線の接続手段として、ワイヤー・ボンディング法、フリップ・チップ法の2通りがある。

COG (Chip On Glass)

読み方:
チップオングラス
フルスペル:
Chip On Glass

液晶ドライバーの実装方式の一種。ドライバーLSIの電極とガラス基板上の電極を直接接続する。現在、広く使われているTCP(Tape Carrier Package)方式より、部材点数、工程数が少ない。

CPU

読み方:
シーピーユー
フルスペル:
Central Processing Unit

CPUとは、コンピューターの中でデータの演算処理を行う「頭脳」にあたる半導体。四則/論理演算、演算結果の一時保管などの処理を行い、演算結果をもとにシステム全体を指揮する役目を持つ。ノイマン型コンピューターにおける5大要素のひとつの「演算装置」。他の4大要素は「制御装置」「主記憶装置」「入力装置」「出力装置」である。

CSP

読み方:
シーエスピー
フルスペル:
Chip Size Package, Chip Scale Package

集積回路のパッケージのうち、チップ単体と同程度のサイズで実現された超小型のパッケージ。配線技術の向上、高密度集積技術などの技術革新により実現。携帯電話など小型電子機器をさらに小型化・軽量化が可能になる。

CVD

読み方:
シーブイディー
フルスペル:
Chemical Vapor Deposition

化学的気相成長法の略。半導体製造工程のうち高温中で膜の素材となる化合物を熱分解したり、酸化、還元などの化学反応を利用して、シリコンウェーハ上に回路形成で必要な半導体結晶や絶縁膜を形成する。

Copyright© Tokyo Electron Limited, All Right Reserved.