半導体用語集
た行
ダイオード
- 読み方:
 - ダイオード
 - フルスペル:
 - Diode
 
本来の意味は2極真空管のことであるが、一般的にダイオードというと半導体で作製した(PN接合された)2端子素子を指す。その整流機能から多くの電子機器に用いられる。ディスクリート(個別半導体)の代表格。
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単電子トランジスタ
- 読み方:
 - たんでんしトランジスタ
 - フルスペル:
 - Single Electron Transistor
 
従来のトランジスタは1〜10万個の電子からなる「電流」によって動作。しかし、単電子トランジスタはクーロンブロッケード現象に基づき電子1個(単電子)で動作する。この単電子トランジスタによる集積回路の実用化は、従来の集積回路に比べ、大幅な省電力化と発熱の軽減が期待されている。
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チップ
- 読み方:
 - チップ
 - フルスペル:
 - Chip
 
デバイス機能あるいは電子回路を作り込んだシリコンなどの基板の小片のこと。製造工程ではペレット(Pellet)、あるいはダイ(Die)ともいう。パッケージされたICの完成品をチップと呼ぶこともある。
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窒化ガリウム系発光ダイオード
- 読み方:
 - ちっかガリウムけいはっこうダイオード
 - フルスペル:
 - GaN LED
 
サファイヤ基板などの上にInGaNなどの窒化ガリウム(GaN)系のエピタキシャル層を形成し、450nm紫外領域の波長光を発する青色〜紫外LEDとなる。蛍光体を被せたり、緑、赤色LEDとあわせて点灯すれば、白色光となる。
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超純水
- 読み方:
 - ちょうじゅんすい
 - フルスペル:
 - Ultra-Pure Water
 
電気伝導度、固形微粒子数、生菌数、有機物などを極端に低い値に抑えた純粋な水。LSIの各製造工程において、ウェーハの清浄に用いられる。半導体の集積率の向上にあわせ超純水のグレードも高くなってきている。
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低誘電率層間絶縁膜材料
- 読み方:
 - ていゆうでんりつそうかんぜつえんまくざいりょう
 - フルスペル:
 - Low-K Materials
 
ロジックの配線間の絶縁膜に使われている。従来のシリコン酸化膜より誘電率が低く、寄生容量が小さいため、配線間遅延を抑制できる。
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ディスクリート
- 読み方:
 - ディスクリート
 - フルスペル:
 - Discrete
 
集積回路に対してトランジスタやダイオード等の単一の構成部品をディスクリートという。本来の意味は、離散的(バラバラ)であること。電気的にはデジタル信号は、サンプリングと量子化により、時間、振幅とも離散的である。
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デザインイン
- 読み方:
 - デザインイン
 - フルスペル:
 - Design in
 
半導体メーカー、商社などが、半導体ユーザーと設計の初期段階から協力して、最も使いやすい製品に仕上げること。最近では企画段階など更に初期の段階からの「コンセプト・イン」や「リサーチ・イン」もある。
							
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電子ビーム
- 読み方:
 - でんしビーム
 - フルスペル:
 - Electron Beam
 
電極のカソード(陰極)から放出した熱電子を電界の作用でエネルギー密度の高い束状の流れに絞り、加速させて発生する。照射することで、材料の穴あけや溶接などに用いる。
							
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トランジスタ
- 読み方:
 - トランジスタ
 - フルスペル:
 - Transistor
 
1948年、ウイリアム・ショックレーが発明した3端子構造の固体素子で1956年にノーベル物理学賞を受賞(他2名)、増幅、発振などを行う軽量、小型の半導体チップの総称。トランジスタを多く集積したものが、IC、LSI。トランジスタはトランスとレジスターの二つの用語をあわせた造語という説がある。
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トンネル効果
- 読み方:
 - トンネルこうか
 - フルスペル:
 - Quantum Tunneling
 
超微細な世界では、粒子が乗り越えられない障壁を量子効果と呼ばれる不確定性原理により乗り越えるまたは浸透してしまう現象をトンネル効果(量子トンネル効果)と呼ぶ。
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トンネル磁気抵抗効果
- 読み方:
 - トンネルじきていこうこうか
 - フルスペル:
 - Tunnel Magneto-Resistance Effect
 
トンネル磁気抵抗効果(TMR効果)とは、トンネル磁気接合素子において、電圧をかけることにより絶縁体にトンネル電流が流れ、抵抗値が変化する現象。MRAMに応用や、電磁誘導を用いた磁気記録の読み取り方式に比べ、大幅な素子の微細化で、HDDなどの超高密度記録化が可能になる。
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銅配線
- 読み方:
 - どうはいせん
 - フルスペル:
 - Copper Interconnects
 
チップ内における銅配線は、微細化に伴い配線抵抗が高くなることで生じる信号の遅れ(配線遅延)を解決する技術としてIBMが提唱し、現在の配線技術の主流となっている。
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