半導体用語集

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D-E-F

DIP

読み方:
ディップ
フルスペル:
Dual Inline Package

ICパッケージを形状から分類したタイプのひとつで、入力端子となるリード・フレームが、パッケージの側面からムカデの足のように出ているのが特徴。ICが登場した当初は、最もスタンダードなタイプだった。

DRAM

読み方:
ディーラム
フルスペル:
Dynamic Random Access Memory

半導体メモリの一種。随時、書き込み、読み出しのできる最も一般的なメモリで、ひとつのMOSトランジスタとひとつのコンデンサが1bit単位となって構成される。情報の記憶は、コンデンサの電荷の蓄積の有無を2進法の0と1に対応させることでデータの記憶を行う。対応記憶内容の保持のためにリフレッシュ動作(コンデンサにたまった電荷の自然放電を防ぐ動作)が必要。

DSP

読み方:
ディーエスピー
フルスペル:
Digital Signal Processor

量子化など、映像や音声をデジタル化する際に要する膨大な掛け算を、通常のプロセッサに比べ高速に処理する特別なマイコン。高速演算専用のデータバスと乗算器を持つのが特徴だが、最近の高性能マイコンは同等機能が実装されており、定義が曖昧になってきている。

EDA

読み方:
イーディーエー
フルスペル:
Electronic Design Automation

EDAとは、半導体や電気回路の設計をコンピューターシステムを用いて自動的に行うこと。またはそれに用いる専用ツール(ハード、ソフト)の総称。仕様、機能、論理、回路、レイアウトなど、すべての設計工程を対象としている。

EPL

読み方:
イーピーエル
フルスペル:
Electron Projection Lithography

電子ビーム投影露光技術。マスクに描かれたパターンをウェーハ上に縮小転写する電子ビーム露光技術。解像度が高く、焦点深度(DOF)が深い。高アスペクト比のコンタクトホールの描画などに適している。

EPROM

読み方:
イーピーロム
フルスペル:
Erasable Programmable Read Only Memory

データを一定回数、消去・書き込みが可能な半導体メモリ。記憶内容が電気的に書き込み可能であるプログラマブルROM。パッケージ表面の透明な小窓を通して紫外線を当てて書き込み内容が消去可能であるものは特にUVEPROMと呼ばれる。最近では、紫外線ではなく電荷を用いて消去ができるEEPROMも普及。

EUVリソグラフィー

読み方:
イーユーブイリソグラフィー
フルスペル:
Extreme Ultra Violet Lithography
別名:
化学的かつ機械的な複合研磨

露光波長13.5nmの光源と、反射型のマスクやミラーを用いた光学系による露光技術。光源はレーザー生成プラズマ方式(LPP)と放電生成プラズマ方式(DPP)の2つが研究されている。

FED

読み方:
エフイーディー
フルスペル:
Field Emission Display

ミクロン以下の微小電子源を複数個使って、ひとつの画面を発光させることにより画像を表示する次世代ディスプレイの一種。ブラウン管と同じ原理で、薄型、大画面が可能で自発光が特徴。

FET

読み方:
エフイーティー
フルスペル:
Field Effect Transistor

FETとは、ゲート電極に電圧をかけチャネルの電界により電子または正孔の流れにゲートを設ける原理で、ソース・ドレイン端子間の電流を制御する電界効果トランジスタのこと。

FPGA

読み方:
エフピージーエー
フルスペル:
Field Programmable Gate Array

セミカスタムICの一種。高集積、高機能で非常に多くのI/Oを持っており、ユーザーによる書き込みが容易であることが最大の特徴で、開発サイクル短縮化に大きく寄与するため、ゲートアレイの市場を大きく奪っていった。

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