半導体用語集

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か行

カーボンナノチューブ

読み方:
カーボンナノチューブ
フルスペル:
Carbon Nanotube

カーボンナノチューブは炭素によってつくられたグラフェンシートが単層あるいは多層の同軸管状になった物質。1991年、日本の飯島澄男氏(当時NEC筑波研究所勤務)によって発見された。単層のものをシングルウォールナノチューブ(SWNT)、多層のものをマルチナノチューブ(MWNT)、二層の場合はダブルウォールナノチューブ(DWNT)とも呼ばれる。次世代の半導体素材として注目されている。

化合物半導体

読み方:
かごうぶつはんどうたい
フルスペル:
Compound Semiconductor

2種類以上の元素の化合物で成る半導体のこと。ガリウムひ素(GaAs)、ガリウム・リン(GaP)、インジウム・リン(INP)、硫化カドミウム(CdS)などがある。携帯電話など高周波、高速デバイスに最適。

ガリウム砒素

読み方:
ガリウムひそ
フルスペル:
Gallium Arsenide
別名:
GaAs

III-V族化合物半導体の代表的な材料。シリコンに比べ結晶内の電子の動きが5~6倍も速く、超高速・超高周波アナログデバイスに適している。GaAsFET、赤外LED、半導体レーザーなどが代表格。

ガリウム砒素IC

読み方:
ガリウムひそアイシー
フルスペル:
Gallium Arsenides Integrated Circuit
別名:
GaAs IC

半導体のGaAs(ガリウム砒素)を基板にしたIC。現在のLSIの主流であるSi(シリコン)ICと比べて、動作速度を上げられるとして登場した。携帯電話、高周波数帯の通信デバイスなどに多く用いられる。

巨大磁気抵抗効果

読み方:
きょだいじきていこうこうか
フルスペル:
Giant Magneto Resistive Effect

1988年に発見された磁気抵抗効果の特殊事例。普通の金属の磁気抵抗効果は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜(F膜)と非強磁性薄膜(NF層)を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗比を示すものがあり、この現象を巨大磁気抵抗効果と呼ぶ。代表的な応用例ではHDDのヘッドに利用されている。

キルビー特許

読み方:
キルビーとっきょ
フルスペル:
Kilby Patent

集積回路の最も基本的な回路構成特許は、ジャック・キルビー(Jack Kilby)の名を取って、キルビー特許と呼ばれ、米国テキサス・インスツルメンツ社に帰属する。キルビーは99年にノーベル賞受賞。

グラフェン

読み方:
グラフェン
フルスペル:
Graphene
別名:
化学的かつ機械的な複合研磨

グラフェンとは、1原子の厚さの炭素原子のシート。炭素原子とその結合からできた六角形格子構造でできている。炭素同素体のカーボンナノチューブやフラーレンの基本的な構造である。

クリーンルーム

読み方:
クリーンルーム
フルスペル:
Clean Room

ICを製造するための清浄化された空間で、フィルターを通した清浄な空気を天井から床面に向けオールダウンフローで流し続ける。特に前工程用には高い清浄度が求められる。

ゲート

読み方:
ゲート
フルスペル:
Gate

信号を通過させたり遮断したりする動作をゲート動作という。一対の入出力端子と、ひとつ以上の制御端子をもち、制御信号が一定の条件を満たしたときにだけ出力端子に信号が現れる回路をゲートという。

ゲートアレイ

読み方:
ゲートアレイ
フルスペル:
Gate Array

最も歴史が古いセミカスタムIC。基本セルを並べ、配線の前までにあらかじめマスターウェーハを準備しておき、ユーザーの論理回路とタイミング・チャートを受け取ってからCADにより短期間に仕上げる。

コンデンサ

読み方:
コンデンサ
フルスペル:
Condenser

2枚の金属板の間に誘電体となる絶縁体を挟んだ電子部品。電圧をかけると、その電圧に応じて電荷を蓄えるため、整流電流の平滑化やノイズ低減などに使われる。DRAM内では、1コンデンサに電荷がたまった状態が1、放電された状態が0と、記憶素子として使われる。また、直流電流をカットして交流電流だけを通すという性質を持つ。キャパシターともいう。

高出力赤色半導体レーザー

読み方:
こうしゅつりょくせきしょくはんどうたいレーザー
フルスペル:
High Power Red Laser Diode

記録用DVDに用いられる赤色半導体レーザーダイオード(波長650nm)は100mW以上の高出力化が不可欠となる。2倍速用の100mWから現在16倍速用では250mW、さらに2層ディスク用は300mW以上となる。

高誘電体絶縁材料

読み方:
こうゆうでんたいぜつえんざいりょう
フルスペル:
High-K Materials

いわゆるHigh-K材料。ロジックのゲート絶縁膜として、従来のシリコン酸化膜代替材料として期待される。導入が65nm以降が見込まれる。様々な材料があるが、現在はハフニウムシリケート(HfSiO)やハフニウムアルミネート(HfAl)が有力。

極薄ウェーハ

読み方:
ごくうすウェーハ
フルスペル:
Ultra Thin Wafer

最新のデジタル家電にはCSPやMCPが多用されているが、ウェーハの厚みを100μm以下まで削ることで実現している。最近では50μmの実用化に向けて開発が進んでいるがハンドリングが課題。

極薄半導体パッケージ基板

読み方:
ごくうすはんどうたいパッケージきばん
フルスペル:
Ultra Thin Substrate

リードフレームの代わりにチップを搭載するインターポーザー。携帯電話や薄型DSCには低背化のパッケージが必要だが、チップを薄くするだけでは実現せず、板厚はコア層で100μm以下が要求される。

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