半導体用語集

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あ行

アーキテクチャー

読み方:
アーキテクチャー
フルスペル:
Architecture

システムの基本的な設計思想。主にハードウェア構成を指すが、語長、アドレス方式、オペレーティング・システム(=OS、基本ソフトウェア)、言語といった基本的な要素を総合して呼ぶこともある。

アナログ

読み方:
アナログ
フルスペル:
Analog

相似、類似、時間、長さ、速度、電圧など、連続的に変化する物理量をアナログ量という。たとえば、針式の時計で相似的に時間を表すといった方法はアナログ表示。数字で表わすのはデジタル表示。

青紫色半導体レーザー

読み方:
あおむらさきいろはんどうたいレーザー
フルスペル:
Blue Purple Laser Diode

次世代DVD用の光ピックアップに搭載される半導体レーザー。現在、規格争いが激しさを増しているが、レーザーの波長はいずれも405nmとなる見通し。当初から記録用途が見込まれ、高出力化していく。

イレブンナイン

読み方:
イレブンナイン
フルスペル:
Eleven Nine

物質の純度が99.999999999%であることを指す。集積回路などの半導体素子の製造には99.999999999%の超高純度の半導体材料が必要で、この純度であれば代表的な半導体のシリコンも電気をほとんど通さなくなる。

ウェーハ

読み方:
ウェーハ
フルスペル:
Wafer

ICを作るための大元の素材となる円板。厚さは200μm程度。直径は小さいもので2インチ、最近では12インチのものもある。ウェーハ上に素子を多数形成して最後にスクライバーという装置で切り出す。

エサキダイオード(トンネルダイオード)

読み方:
エサキダイオード(トンネルダイオード)
フルスペル:
Tunnel Diode

1957年、江崎玲於奈氏が発明した、量子トンネル効果を利用した半導体素子。順方向に電流を流すとトンネル効果により、ある電圧領域では電圧をかけるほどに流れる電流が少なくなる負性抵抗が生じる。このエサキダイオードを用いた発振回路や増幅器は従来型のトランジスタよりもはるかに優れた性能を発揮した。

エッチング

読み方:
エッチング
フルスペル:
Etching
別名:
化学的かつ機械的な複合研磨

ウェーハ上のレジスト・パターンに従って蝕刻加工を行う工程のこと。ウエット・エッチング法とドライ・エッチング法がある。ドライにはイオン、プラズマ、反応性イオンの3方式がある。

エッチング装置

読み方:
エッチングそうち
フルスペル:
Etching Equipment

半導体ウェーハやウェーハ上の配線用金属膜、リードフレーム、プリント基板などを所定の形状に腐食加工する装置。エッチャーともいう。高密度ガスを使うドライと、化学薬品によるウエットの2種類。

エピタキシャル成長

読み方:
エピタキシャルせいちょう
フルスペル:
Epitaxial Growth

結晶を他の結晶の上に成長させることで、ウェーハをスライスする前のSiインゴットを製造する際に活用する。成長する結晶の方位は、下地の結晶の構造で決まる。トランジスタの製造法では、ガス状態のシランやトリクロシランからシリコンの結晶を析出させる。

エンベデッドアレイ

読み方:
エンベデッドアレイ
フルスペル:
Embedded Array

ゲートアレイとスタンダードセルの両方の利点を持ったASIC製品。基本構成としては、ゲートアレイの中に高付加価値のセルを埋め込んだもの。組み込み型とも呼ばれ、近時急増。

液浸リソグラフィー

読み方:
えきしんリソグラフィー
フルスペル:
Immersion Lithography

結像系とウェーハの間を液体で満たした状態で、露光を行う露光技術。大気中よりも液中の方が光の屈折率が高いため、大気中露光に比べステッパーの開口率(NA)を飛躍的に向上させることができる。

N型半導体

読み方:
エヌがたはんどうたい
フルスペル:
Negative Semiconductor

N型半導体とは、電圧をかけられると自由電子や伝導電子と呼ばれる電子の移動によって電荷が運ばれる半導体。負の電荷を持つ自由電子がキャリアとして移動することで電流が生じる。シリコンやゲルマニウムなど4価元素に、微量の5価元素(ヒ素など)を不純物として添加するとN型半導体になる。

オプトエレクトロニクス

読み方:
オプトエレクトロニクス
フルスペル:
Opto-Electronics

光学(Opto)と電子工業(Electronics)の合成語。電気信号を光に変える、光を電気信号に変えるというふたつの機能を備えた技術の総称。光ファイバー、LEDなどが同技術の代表製品。

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