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半導体用語集

M-N-O

MCU

読み方:
エムシーユー
フルスペル:
Micro-Controller Unit

マイクロコンピューターの基本構成要素である(1)データの入出力部、(2)演算とデータ処理を行う中央処理部、(3)プログラムメモリ(ROM)、(4)データメモリ(RAM)の4つを1個のLSI上に集積したもの。大規模なシステムでは(3)と(4)が切り離された大型のマイクロコンピューターが用いられるが、これは一般にMPUと呼ばれる。PC用途が代表的。

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MEMS

読み方:
メムス
フルスペル:
Micro Electro Mechanical System

MEMSとは微小な電気機械システムに関する技術の総称。半導体の微細加工技術を駆使しチップ内部の可動部が動くことで様々な機能を実現する。加速度センサーやジャイロスコープなど多種のデバイスが開発されている。

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MOSFET

読み方:
モスエフイーティー
フルスペル:
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

MOSFETは、電界効果トランジスタ(FET)の一種で金属酸化膜半導体(MOS)の構造を持ったもので、LSIの中では最も一般的に使用されている。半導体基板状に絶縁体となる酸化膜を形成し、その上に導体である金属を蒸着させた構造で、金属上にはゲート電極を設けて、ゲートに電圧を加えると酸化膜の下で電流が流れる仕組みになっている。

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MRAM

読み方:
エムラム
フルスペル:
Magnetoresistive Random Access Memory

メモリセル構造は DRAM のキャパシタを磁気抵抗素子に置き換えた形をしている。磁気抵抗素子は、強磁性体の固定層と可動層の間に非磁性体材料が存在し、可動層のスピンの方向によって抵抗が変化する。この抵抗変化をデータの 0 と 1 に対応させることで読み出しを行う。磁気的にデータを保存するため、不揮発性で通電状態にかかわらずデータの保存が可能。

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OPC

読み方:
オーピーシー
フルスペル:
Optical Proximity Correction

解像度不足によってフォトマスクに忠実なレジストパターンを形成することが困難になる現象(光近接効果)を克服するため、光近接効果をあらかじめ考慮し、補助パターンをフォトマスク上に追加・修正することで、設計した回路をレジストパターン上に実現する技術。

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