半導体ができるまで

01
Silicon Substrate

シリコン基板

RESTART

単結晶シリコンを作成し、チップ製造工程で処理しやすい形状のウェーハに加工します。

02
Oxidation and Nitride film deposition

酸化膜・窒化膜形成

RESTART

熱処理装置の中にウェーハを入れて酸素ガスを流入し、高温でシリコン酸化膜を成長させる。続いて、シランとアンモニアのガスを流入し、その上にシリコン窒化膜をCVD法により推積させる。

半導体製造関係装置

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