JavaScriptが無効になっています。
このWebサイトの全ての機能を利用するためにはJavaScriptを有効にする必要があります。

半導体ができるまで

14
Patterning

パターン形成

RESTART

絶縁膜上にパターン形成プロセスを施し、コンタクトホールを開口する。

半導体製造関係装置

レジスト塗布現像装置、露光装置(スキャナ)・プラズマエッチング装置、レジスト剥離洗浄装置
15
Contact formation

コンタクト形成

RESTART

CVD法で金属部を埋め込む。余分な膜は研磨で除去する。

半導体製造関係装置

メタル膜形成装置(CVD、PVD)、CMP装置
16
Patterning

パターン形成

RESTART

低誘導率膜等の層間絶縁膜を堆積する。次にパターン形成を行い配線となる部分(トレンチ)を開口する。

17
Interconnect formation

配線形成

RESTART

トレンチに金属膜を埋め込み余分な膜を研磨し除去する。層間絶縁膜堆積~金属膜埋め込み/研磨の一種のプロセスを必要な配線層数分繰り返す。

半導体製造関係装置

メタル膜形成装置(CVD、PVD、メッキ装置)、CMP装置
PREV NEXT