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半導体ができるまで

03
Photoresist coating

フォトレジスト塗布

RESTART

コータでウェーハを高速回転させながらUV光によって性質の変化する感光材(フォトレジスト)をウェーハ全面に均一に塗る。

半導体製造関係装置

レジスト塗布現像装置
04
Exposure

露光

RESTART

IC回路を描いたガラスマスクをウェーハに合わせ、露光機を使用してUV光を当て、フォトレジスト上に転写する。

05
Development

現像

RESTART

デベロッパで現像液をウェーハ上に均一にかけ、描かれたパターンを作り出す。ポジ式レジストでは光の当たった箇所、ネガ式レジストでは光の当たらなかった箇所のフォトレジストが可溶性となり、ウェーハ上にマスクパターンが形成される。

半導体製造関係装置

レジスト塗布現像装置
06
Etching

エッチング

RESTART

プラズマエッチング装置で、フォトレジストで形成されたパターンに従って膜を削り取る。フォトレジストで保護されている部分は削られずに残る。

半導体製造関係装置

プラズマエッチング装置
07
Ashing / Cleaning

レジスト剥離・洗浄

RESTART

エッチング後に不要になったフォトレジストを除去する。また、洗浄装置で、ウェーハを薬液に浸して洗浄し、ウェーハ上に残る不純物を取り除く。

半導体製造関係装置

レジスト剥離洗浄装置
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