学会発表

ALD/ALE2020

AVS ALD/ALE 2020が6/29から7/1にバーチャルで開催されます。この国際会議では、原子層堆積法(ALD)と原子層エッチング法(ALE)に特化した研究発表および議論がおこなわれます。
東京エレクトロン(TEL)からは招待講演1件を含む4件の研究成果の報告を予定しております。

  • Invited talks

    Selective and Atomic-Scale Processes to Enable Future Nano-Electronics

    Robert Clark (TEL Technology Center‚ America‚ LLC)

  • Oral presentations

    Plasma Enhanced Spatial Atomic Layer Deposition of Silicon Nitride using Di (isopropylamino) silane and N2 plasma

    Hisashi Higuchi *1, Steven Consiglio *1‚ Hiroyuki Suzuki *1‚ Cory Wajda *1‚ Gert Leusink *1 and David O’Meara*2
    *1 TEL Technology Center‚ America‚ LLC
    *2 Tokyo Electron America Inc.

  • Poster exhibitions

    1. Infrared Spectroscopy of SiNx Grown by Atomic Layer Deposition on Structured Substrates
    2. Low Temperature Thermal a-SiC Deposition Using Pulse CVD and ALD

    1. Yuji Otsuki‚ Yusuke Suzuki‚ Munehito Kagaya‚ Kentaro Oshimo‚ Hiroki Murakami and Kenji Ouchi (Tokyo Electron Technology Solutions Limited)
    2. Susumu Yamauchi*1‚ Makoto Fujikawa*1 and Takahiro Miyahara *2
    *1 Tokyo Electron Technology Solutions Limited
    *2 TEL Technology Center‚ America‚ LLC