ALD/ALE2020
イベント概要
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開催日
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2020.06.29〜2020.07.01
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開催場所
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バーチャル
AVS ALD/ALE 2020が6/29から7/1にバーチャルで開催されます。この国際会議では、原子層堆積法(ALD)と原子層エッチング法(ALE)に特化した研究発表および議論がおこなわれます。
東京エレクトロン(TEL)からは招待講演1件を含む4件の研究成果の報告を予定しております。
Invited talks
Selective and Atomic-Scale Processes to Enable Future Nano-Electronics
Robert Clark (TEL Technology Center‚ America‚ LLC)
Oral presentations
Plasma Enhanced Spatial Atomic Layer Deposition of Silicon Nitride using Di (isopropylamino) silane and N2 plasma
Hisashi Higuchi *1, Steven Consiglio *1‚ Hiroyuki Suzuki *1‚ Cory Wajda *1‚ Gert Leusink *1 and David O’Meara*2
*1 TEL Technology Center‚ America‚ LLC
*2 Tokyo Electron America Inc.
Poster exhibitions
1. Infrared Spectroscopy of SiNx Grown by Atomic Layer Deposition on Structured Substrates
2. Low Temperature Thermal a-SiC Deposition Using Pulse CVD and ALD
1. Yuji Otsuki‚ Yusuke Suzuki‚ Munehito Kagaya‚ Kentaro Oshimo‚ Hiroki Murakami and Kenji Ouchi (Tokyo Electron Technology Solutions Limited)
2. Susumu Yamauchi*1‚ Makoto Fujikawa*1 and Takahiro Miyahara *2
*1 Tokyo Electron Technology Solutions Limited
*2 TEL Technology Center‚ America‚ LLC
