2014年3月期　第1四半期決算説明会 質疑応答集

方向感をお伝えすると、SPEについては前四半期比で増加する見込み。NANDフラッシュとファウンドリー向けが増加し、DRAMやロジック向けはほぼ同水準を見込んでいる。FPDについては4-6月期への受注前倒しの影響もあり、7-9月期は減少する見込み。PVE 受注は低水準の見込み。全体では、4-6月期と同水準を見込んでいる。

増加の方向と考えている。ファウンドリーの次世代ノード（20nm）向けや、中国の新棟向けの受注が本格的に入るタイミングでもあり、7-9月期に比べてさらに増加するイメージを持っている。

複数あるNAND新棟向けの投資が大きな牽引役となる。また、先端ロジック向けの継続投資が見込まれる。今年、20nmの量産が開始されるが、16nm、14nmの開発が活発化してきており、パイロットラインへの投資、量産開始が想定よりも早くなる可能性もある。本格的に投資が活況となるのは、今年後半から来年春先になると見込んでいる。

メモリ比率は35%～40%を予想している。EUVについては、技術は確立されてくるものの、採用される工程数は限られると考えており、パターニング技術が劇的に変わることはないと考えている。450mmについては2016年において含めていない。

固定費については、限りなく抑えていく方針。2017年3月期に営業利益率20%以上を目標としており、売上高販管費比率は、20%以下になるよう進めていく。研究開発費については、主な開発拠点への設備投資は一巡しているため、現状の研究開発費の水準を維持することで考えている。

具体的な時期に関しては申し上げられないが、柔軟に検討したい。

昨今の半導体を取り巻く技術変化が事業拡大のチャンスと捉えている。具体的には、FinFET、マルチパターニング、3D NANDの採用。FinFETにおいては、低ダメージと高選択性を特徴とする当社のRLSAエッチング装置が既に米国ロジックメーカーで採用されており、今後14nm/16nm世代に展開されることで、さらなるポジション向上が期待できる。これまでフロントエンドのコンダクター市場（Poly Etch市場）において当社はあまりポジションを築けていなかったが、この市場に本格的に参入できるチャンスが到来すると考えている。パターニングにおいては、今後多重露光が本格化するが、従来のチャンバーを大きくリニューアルし、均一性の高いエッチングを実現する製品により売上拡大を図る。3D NANDにおいても、当社が高い技術と経験を有している深掘エッチング技術で優位性を獲得していく。今後3年間で、40%のシェアを目指している。