TOKYO ELECTRON LIMITED

投資家向け情報

2018年3月期 第1四半期決算説明会 質疑応答集

貴社はCY2017のDRAMの見通しを据え置いたが、DRAMメーカーでは引き合いが高まっており供給が足りていない様子が見られる。貴社から見て引き合いの高まり具合はどうか?

現在発表されている内容はすでに当社で把握しており、織り込み済みである。ただし織り込んだうえでもやや上向きの方向に進んでいる。

貴社は3D NANDの伸びを理由にCY2017のWFE*1市場の予想を引き上げた。この伸びは、3D NANDの歩留まりが低く、それを補うために顧客が生産キャパシティを増強しようとしているからか?あるいは歩留まりを改善させるために装置需要が高まっているからか?

3D NANDの需要の増加に対応するための投資と認識している。3D NANDの需要は非常に旺盛であり、半導体製造装置メーカー、半導体メーカーのビジネスチャンスは引き続き大きいと考えている。

CY2018のWFE市場に対する見解は?

CY2018の市場予測については今後精査を進めていくが、現時点では堅調な投資が続く見通し。メモリは相応の成長を見込んでおり、ロジックも増加すると考えている。当社は中期経営計画においてCY2019のWFE市場規模の前提を420億ドル、450億ドルと設定しており、それに向かって伸びていくと期待している。

エッチング装置の市場シェアがCY2017に増加すると見込んでいるようだが、どのアプリケーションでシェアを伸ばしているのか?

韓国のDRAM顧客におけるパターニングと、3D NANDのスリット工程でシェアを伸ばしている。

エッチング装置の工場の生産能力を2倍にすると発表したが、装置1台当たりに付随するチャンバー数を増やすのか、チャンバー数は変えず台数を増やしていくのか?また、エッチング装置の今後の付加価値向上についてお聞きしたい。

1台当たりのチャンバー数は増やさず台数を増やしていく。3D NANDの需要が非常に強く、生産能力を倍増させる決断に至った。エッチング装置の付加価値向上については、特に3D NANDにおいて積層数とアスペクト比が高まっていくなかで、エッチングレートと加工形状を両立して向上していくことが重要だと考えている。

露光機メーカーにおけるEUV(Extreme Ultra-Violet)向けの受注高・受注残高が増えている。コータ/デベロッパで高いシェアを持つ貴社から見て、EUVはどのようなスケジュールで導入されていくか?

売上時期は計上基準の違いによって露光機メーカーと若干ずれる可能性はあるが、EUVにおける当社のコータ/デベロッパのシェアは非常に高いため、露光機メーカーの計画とほぼ同調したスケジュールで進んでいくと考えている。

EUVはロジック/ファウンドリとDRAMに導入されるようだが、マスク枚数の違いなどによってそれぞれで使われ方が異なる。貴社はこれらの異なるアプリケーションに対して、どのように対応していくのか?また、貴社のコータ/デベロッパの販売台数は、マスク枚数の関係上ロジック/ファウンドリ向けの方が多くなるか?

全てのアプリケーションに対応する責務がある。当社の事業機会としてはコータ/デベロッパが最も大きいが、この装置自体は一種類のモデルで対応できる。各アプリケーションに対応した機能や顧客ごとのカスタマイズを行い、稼働率や生産性などの面で価値を高めていく。販売台数については、双方のアプリケーションで相応の期待が持てると考えている。

EUV向けのコータ/デベロッパは、従来に比べどの程度付加価値が上がるのか?

具体的な数値に関するコメントは差し控えるが、コータ/デベロッパの付加価値は非常に高い。ディフェクトの制御や生産性を向上させるアプローチの開発を進めている。

Fan-Outウェーハレベルパッケージングについて、市場の見通しと貴社へのインパクトは?

Fan-Outウェーハレベルパッケージングや複合デバイスは技術革新に向けたアプローチの一つであり、半導体産業の発展に寄与すると見ている。当社のテストシステムやコータ/デベロッパが顧客に採用されており、事業機会には期待している。

FPDの第10.5世代と中小型向け有機ELの投資が旺盛だが、貴社の事業機会は?

第10.5/11世代については、1顧客目で良い結果を出すことができ、2顧客目でも納入はまだだが計画通り高い占有率でビジネスを進めることができた。今後投資が拡大する領域において、先行して技術を確立しビジネスを獲得できたことは非常に有利だと考えている。第6世代については、低消費電力かつ加工均一性やダメージ低減に優れたPICP™*2エッチング装置が、リリース以降有機ELを含めて全ての顧客に採用されている。なお、有機ELテレビについても、現行のIGZO*3だけでなくインクジェット方式における事業機会に期待している。インクジェット方式は大型向けにおいて蒸着方式よりも低消費電力かつ高精細という魅力がある。

インクジェット方式について、顧客の開発の進捗状況は?

市場の拡大見通しや量産時期については顧客と当社の双方で注視しており、当社は量産機をそのタイミングに間に合わせられるような態勢で常に臨んでいる。

WFE (Wafer fab equipment):半導体前工程製造装置。半導体製造工程には、ウェーハ状態で回路形成・検査をする前工程と、そのウェーハをチップごとに切断し、組み立て・検査をする後工程がある。半導体前工程製造装置は、この前工程で使用される製造装置。また半導体前工程製造装置は、ウェーハレベルパッケージング用の装置を含む。

PICP™:パネル基板上に極めて均一な高密度プラズマを生成するプラズマソース

IGZO:インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物半導体

本内容は、質疑応答のサマリーです。