2018年5月29日　中期経営計画説明会　質疑応答集

アプリケーションごとの伸び率や額については具体的な数字はお伝えしていないため、プレゼンテーション資料の14ページのグラフでおおよその傾向をご確認いただきたい。これまではDRAMのグリーンフィールド投資が旺盛だったが、CY2019は3D NANDの投資が増えると考えている。

特にメモリの需要が強く、うちDRAMについてはメモリ顧客がCY2017後半から旺盛な投資を行っており、生産能力の増強が進んでいる。今後メモリ顧客は投資をDRAMからNANDへと切り替えると予想している。

CY2020の中国における投資のうち、外国メーカーによる投資と中国地場メーカーによる投資はおよそ半々になると見ている。中国地場メーカー投資のうち、多くはメモリ向けになるだろう。

ご認識の通り、$62Bをメインシナリオと考えている。今後WFE市場がさらに伸びていくという確信があり、その備えとしての開発・設備投資もふまえた営業利益率目標を立てている。$55Bのケースは、金融危機や地政学リスク、あるいは半導体の微細化の進捗次第で多少市場が落ち込むことを想定した場合のモデルとして策定した。

金融危機や地政学リスク、半導体の微細化において歩留まりが十分に改善しないという場合にはあり得るが、当社は$62Bを超えるケースをメインシナリオとして投資を行っている。当社の歴史上で売上が最も減少したのはリーマンショック時の前期比44%減少だが、そのような落ち込みも視野にいれたうえでパートナー企業への製造アウトソースや従業員の業績連動型報酬などを導入しており、市場変動のリスクに対応できる体制を構築している。

ROE目標値が、自社株買いを想定した数字かどうかは申し上げられない。従前からお伝えしている通り、自社株買いの実施は機動的に検討していく。市場動向や自社株買いの規模などあらゆる観点から判断し、最も株主の皆さまに価値があるタイミングで実施していきたい。創出したキャッシュは最大限価値を発揮できる形で使いたいと考えており、成長ポテンシャルがある中、さらなるビジネスチャンスに向けた資本を確保する可能性もふまえて「機動的」としている。

プレゼンテーション資料62ページのグラフの通り、WFE市場の伸びと同様にSAMが伸び、SAM比率は一定に推移すると見ている。SAM比率が下がることはないものの大幅に上がることもないだろう。EUVが導入されるリソグラフィ工程においては露光の回数がおよそ現在の1/3程度まで減る一方、EUVの生産性が現行の液浸ArFに比べて低いため必要な装置台数が増え、オフセットすると考えている。装置単価は、EUV向けにディフェクト低減やCDU*3改善のためのユニットを搭載していくため若干上昇すると見ている。EUVの生産性や露光量に変化があれば話は変わってくるが、現時点での見通しはグラフの通り。なお、CY2022以降にはN5世代以降向けに生産性を向上するPSCAR™*4など、事業機会が増える。

EUVの導入でクアドラプルパターニング後のリソ・エッチ工程が1回で済むことになり工程数が減るため、伸び率がゆるやかなものに留まっている。現時点ではEUVはまずロジックに導入されていく見通しであり、DRAMへの導入は明確ではないため現時点の予想には織り込んでいない。今後の技術動向によっては予想が変わる可能性は十分にある。
なお、CY2017からCY2021にかけて、WFE市場全体における露光装置市場の比率はEUV導入によって4ポイント上昇する見込み。エッチング装置、成膜装置は、同期間でそれぞれ1ポイント上昇すると見ている。

現行の液浸ArFでは何重にも露光を重ねる必要があり、自己整合マルチパターニングも回数を重ねると位置ずれが発生して歩留まりが落ちる。したがって、技術的な観点から、微細化を推し進めるうえでEUVの導入は避けて通れないだろう。ただし、EUVによって当社のエッチング・成膜の事業機会が大きく減るということはない。

すべてのパターニング工程でEUVを採用するというのは、コスト的にも難しいだろう。微細化が進む中、従来のダブル/クアドラプルパターニングは継続して残ると見ているため、成膜市場が大きく減るとは考えていない。

CY2017の成膜装置のシェアは、ALDと枚葉CVD装置においては想定通り伸長した。ご指摘の通り酸化/拡散のシェアは低下したが、これは実質的な競争力を失ったわけではない。すべての顧客において同一のシェアを保持しているわけではないため、顧客の投資ミックスによって市場におけるシェアが変動したことが低下の背景。低下したことについては過度に心配していない。今後、さらに付加価値を高めてシェアを伸ばしていきたい。

昨年の中期経営計画説明会でお話しした開発PORが、量産PORになった。

おっしゃる通り、MRAMやPCRAMなどの不揮発性メモリは消費電力などの問題に絡んでおり、今後採用されていくだろう。ただ、不揮発性メモリのうちWFEへの寄与が最も大きいのは引き続きNANDであり、その他のMRAMなどの導入は少し先に延びている。導入計画自体が、一年前と比べて後ろ倒しになっているのが事実。

ONON（酸化膜・窒化膜）層、つまりチャージトラップの構造が主流である。