半導体用語集
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ASIC
- 読み方：
- エイシック
- フルスペル：
- Application Specific Integrated Circuit
- 別名：
- 特定用途向けIC
ある特定の用途に特化した半導体ユーザーの要求に合わせて、カスタム化あるいはセミカスタム化した半導体の総称。セミカスタム化したものはゲートアレイ、スタンダードセル、FPGAなどがある。
BGA
- 読み方：
- ボールグリッドアレイ
- フルスペル：
- Ball Grid Array
略称はBGA。ICパッケージを形状から分類したタイプのひとつで、パッケージの下面に入出力端子となるハンダのボールがマトリックス（格子）状に配置されているのが特徴。ハンダボールを高温に熱して溶かし、基板表面に実装する。多数のピンを設けることができるためピン数の多いLSIによく使われる。
Bi-CMOS
- 読み方：
- バイシーモス
- フルスペル：
- Bipolar-Complementary Metal-Oxide Semiconductor
バイポーラ・トランジスタとCMOSトランジスタを組み合わせて同一チップ上に作ったIC。バイポーラの高速性、高電流駆動能力とCMOSの低消費電力の優れた特性を同時に生かすことができる。74シリーズなど標準ロジックによく使われる。
CCD
- 読み方：
- シーシーディー
- フルスペル：
- Charge Coupled Device
電荷結合素子のことで、電子の眼にあたる半導体。平面上に並んだ多数の受光素子に画像となる光を当て、発生した電荷を次々と転送する仕組み。デジタルカメラ、スキャナーに多く搭載。
CIS
- 読み方：
- シーアイエス
- フルスペル：
- CMOS Image Sensor
CMOSセンサー技術を使用した低消費電力のイメージ・センサー。CCD（電荷結合素子）の約1/10の消費電力で動作し、単一の電圧で稼動できること、周辺回路を一体化できるメリットを持つが、高画質化が難しいと一般的に言われている。携帯電話やWebカメラなど、比較的低価格なデジタルカメラでよく使われる。
CMOS
- 読み方：
- シーモス
- フルスペル：
- Complementary Metal-Oxide Semiconductor
P型MOSFET(PMOS)とN型MOSFET(NMOS)を相補的に利用する半導体デバイスの略称。PMOSやNMOS単体のデバイスと異なり、CMOSは状態が変化したときのみ電流が流れ、静止時にはほとんど流れないため、消費電力の少ない論理回路が実現できる。現在のLSI技術の本流。
CMP
- 読み方：
- シーエムピー
- フルスペル：
- Chemical Mechanical Polishing
- 別名：
- 化学的かつ機械的な複合研磨
化学反応と機械的研磨の複合作用を利用し、ウェーハ表面の凹凸を削り、平坦化する技術、およびその装置のことを指す。一般的には砥粒としてシリカ粒子を含んだ研磨液（スラリー）を回転テーブル表面の研磨パッドとウェーハ表面の間に流し、回転させながら研磨する。研磨する材料によっては、砥粒を含まない研磨液もある。
COB (Chip On Board)
- 読み方：
- チップオンボード
- フルスペル：
- Chip On Board
プリント配線基板の上に、パッケージに入っていない裸のLSIチップ（ベアチップ）を直接実装する方法。チップ電極と基板配線の接続手段として、ワイヤー・ボンディング法、フリップ・チップ法の2通りがある。
COG (Chip On Glass)
- 読み方：
- チップオングラス
- フルスペル：
- Chip On Glass
液晶ドライバーの実装方式の一種。ドライバーLSIの電極とガラス基板上の電極を直接接続する。現在、広く使われているTCP（Tape Carrier Package）方式より、部材点数、工程数が少ない。
CPU
- 読み方：
- シーピーユー
- フルスペル：
- Central Processing Unit
コンピューターの中でデータの演算処理を行う「頭脳」にあたる半導体。全体を制御する制御装置、四則/論理演算を行う演算装置、演算結果を一時保管するレジスタ、メモリなどの記憶装置とのインターフェース、周辺機器との入出力装置とのインターフェースなどから構成され、ノイマン型コンピューターにおける５大要素のひとつの「演算装置」に分類される。他の４大要素は「制御装置」、「主記憶装置」、「入力装置」、「出力装置」である。
CSP
- 読み方：
- シーエスピー
- フルスペル：
- Chip Size Package, Chip Scale Package
集積回路のパッケージのうち、チップ単体と同程度のサイズで実現された超小型のパッケージ。配線技術の向上、高密度集積技術などの技術革新により実現。携帯電話など小型電子機器をさらに小型化・軽量化が可能になる。
CVD
- 読み方：
- シーブイディー
- フルスペル：
- Chemical Vapor Deposition
化学的気相成長法の略。反応室に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、化学反応により基板表面に所望の膜を堆積する方法。半導体製造工程では、シリコンウェーハ上に回路形成で必要な配線材料や絶縁膜を形成する。