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半導体用語集

さ行

三次元積層LSI

読み方:
さんじげんせきそうエルエスアイ
フルスペル:
3D Stacked LSI

MCPやPoP(パッケージ・オン・パッケージ)のように単純に積層したものから、最近ではウェーハレベルやチップ・オン・ウェーハのように非常に微細(数μm)な貫通ビアが必要なケースもある。

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酸化亜鉛系発光ダイオード

読み方:
さんかあえんけいはっこうダイオード
フルスペル:
ZnO LED

酸化亜鉛(ZnO)をエピタキシャル層に用いたLED。発光色はGaN同様に青色〜紫外。GaN―LEDと比べて低コストのほか、波長領域を下げられ蛍光体材料の選択肢が広がり、GaN-LEDよりも高温でも発光できる。

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システムLSI

読み方:
システム・エルエスアイ
フルスペル:
System LSI
別名:
Systems on a Chip

複数のICを組み合わせて構成していた機能を、IP(Intellectual Property)を組み合わせることで、1チップに集約したLSI。システム・オン・チップとも呼ばれ、今後の半導体のトレンド。

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シリコンインターポーザー

読み方:
シリコンインターポーザー
フルスペル:
Silicon Interposer

樹脂インターポーザーと違い、半導体チップをフリップチップ実装しても熱膨張係数が同じため電気特性がよく、高速・高周波領域でも動作特性が良い。より微細な配線やバンプ形成が可能になる。

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シリコン・ウェーハ

読み方:
シリコン・ウェーハ
フルスペル:
Silicon Wafer

半導体の中心素材で、ケイ素を溶かして99.999999999%の純度のシリコン・インゴットを作り、厚さ1ミリ以下の円板にしたもの。このウェーハに複数の半導体回路を書き込み、切断して半導体チップを製造する。

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シリコンサイクル

読み方:
シリコンサイクル
フルスペル:
Silicon Cycle

半導体の消費量が、コンピュータの需給に依存していたときの半導体産業の景気循環波動で、ほぼ4年ごとに好不況の波を繰り返す経験則。半導体産業は、年度ごとにその成長を追った場合、3〜4年ごとに成長のピークとボトムを伴った周期がみられていたが、近年は、市場を牽引する電子機器の主役が買い替えサイクルの短いスマートフォンに移行したのと、他の電子機器も多様化したのに伴い、この経験則が崩れている。

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シリコンバレー

読み方:
シリコンバレー
フルスペル:
Silicon Valley

半導体メーカーが多く集まっている米国のサンフランシスコ湾南西部一帯の通称。半導体の材料がシリコン単結晶であることから命名。

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紫外線リソグラフィー

読み方:
しがいせんリソグラフィー
フルスペル:
UV Lithography

露光装置の光源として紫外線を用いたもの。波長が436nmのg線と呼ばれる紫外線と、さらに波長の短いi線(波長356nm)を用いた露光装置の2つがある。

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集積回路

読み方:
しゅうせきかいろ
フルスペル:
Integrated Circuit
別名:
IC

電子回路を小型化するために部品そのものを超小型化して高密度に集積配線したもの。集積回路(IC)には、ハイブリッドICと、モノリシックICの2種があり、モノリシックが最も多い。

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縮小投影露光装置

読み方:
しゅくしょうとうえいろこうそうち
フルスペル:
Stepper
別名:
ステッパー

露光光源として可視光(g線)、紫外線(i線)、エキシマレーザー(KrF、ArFなど)を用い、レンズ系を通してフォトマスク(=レチクル)上のパターンをステージ上に置かれたウェーハに縮小転写する装置。

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スタンダードセル

読み方:
スタンダードセル
フルスペル:
Standard Cell

あらかじめ設計され標準化されている機能セルを組み合わせて配置・配線することにより、チップ全体を設計するセミカスタムLSIの一種。ゲートアレイに比べて、セルは最適設計されており、チップ面積の無駄も少ない。

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ストラクチャードASIC

読み方:
ストラクチャードエイシック
フルスペル:
Structured ASIC

ASICにおいて、微細化の進展や製品サイクルの短期化を背景に、マスクや開発費の増大、開発期間の長期化などを打破するものとして、一定の層を固定化したASIC。

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スパッタリング

読み方:
スパッタリング
フルスペル:
Sputtering

物質表面に薄膜を形成する技術のひとつで、蒸着法、あるいは PVD (Physical Vapor Deposition) ともいう。薄膜で覆いたい物質と膜材料(ターゲット)とを真空中に置き、高速に加速したアルゴンや電子などをターゲットに当て、はじき出された分子、あるいはその分子と化学反応させた材料を対象物に堆積させる技術。

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スパッタリング装置

読み方:
スパッタリングそうち
フルスペル:
Sputtering Equipment

薄膜を形成する蒸着装置。外部環境の影響がない真空状態で、高速に加速したアルゴンのような不活性物質を金属やセラミックスなどの成膜材料に当て、はじき出された分子、あるいはその分子と化学反応させた材料を対象物に堆積させる装置。

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スピントロニクス

読み方:
スピントロニクス
フルスペル:
Spintronics

個体中の電子がもつ電荷とスピンの両方を工学的に応用する分野で「スピン」と「エレクトロニクス」から生まれた造語。代表的な例は1988年に発見された「巨大磁気抵抗効果」がありHDDのヘッドに利用されている。

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正孔

読み方:
せいこう
フルスペル:
Hole

半導体において価電子帯から伝導帯励起されるか、アクセプターに捕らえられると価電子帯に負の電荷をもつ電子の抜けた後に正の電荷が残る。この穴を正の電荷をもつ粒子とみなして正孔と呼ぶ。

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