半導体用語集
S-T-U
SiCウェーハ
- 読み方：
- エスアイシーウェーハ
- フルスペル：
- SiC Wafer
シリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料で、シリコンに対して絶縁破壊電界強度が10倍、バンドギャップが3倍と優れており、p型、n型の制御が広い範囲で可能であるため、高温、高線量下使用できるパワーデバイス用材料として注目されている。また、シリコンに比べ熱伝導率が高いため、他の半導体の基板の原料であるウェーハとして実用化もされている。
SiP
- 読み方：
- エスアイピー
- フルスペル：
- System In Package
メモリやASIC、コントローラーなど複数個の機能の異なるICや受動部品などを組み合わせ、一つのパッケージ内に納めたもの。SoCと比較して、短納期や製造コスト面での優位性がある。
SOIウェーハ
- 読み方：
- エスオーアイウェーハ
- フルスペル：
- Silicon On Insulator Wafer
内部に絶縁層を挟みこんだ構造のシリコンウェーハ。絶縁膜を挟み込んでいるため、耐圧の高い素子を形成でき、また、チャネル層を薄膜化することでトランジスタリークを抑制し、低消費電力化が期待できる。
TAB
- 読み方：
- タブ
- フルスペル：
- Tape Automated Bonding
LSIチップの電極と基板を電気的に接続する方法のひとつ。テープ（フィルム・キャリア）を使った自動ボンディングという意味で使われ出した。TABを使ったLSIのパッケージ形態をTCPと総称する。
TFT
- 読み方：
- ティーエフティー
- フルスペル：
- Thin Film Transistor
- 別名：
- 薄膜トランジスタ
ガラス基板上にアモルファスシリコンなどで構成された薄型トランジスタのことで、液晶パネルなどに使用される。TFT液晶は、アクティブマトリックス方式の薄膜状に加工されたトランジスタを用いた液晶ディスプレイの主要技術。
TSOP
- 読み方：
- ティーエスオーピー
- フルスペル：
- Thin Small Outline Package
プラスチックの薄型パッケージの名称で、メモリ（DRAMモジュール）向けが主体。２方向にリードの出たSOPの形状で、基板に搭載したときの高さが1.27mm以下、樹脂部の厚さが１mmとなっている。