ALD/ALE 2019
イベント概要
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開催日
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2019.07.21〜2019.07.24
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開催場所
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アメリカ（ベルビュー）
AVS ALD/ALE 2019が、7/21から7/24にアメリカのベルビューで開催されます。この国際会議では、原子層堆積法と原子層エッチング法に関する研究発表・討議がおこなわれます。東京エレクトロン(TEL)は口頭発表3件とポスター発表1件による研究成果の報告を予定しています。
1, ALD HfO2 with Anhydrous H2O2 in a 300 mm Cross-flow Reactor – Comparison with H2O and O3 Oxidants
2, Selective Quasi-ALE of SiO2 over Si3N4 via Bottom-up Si3N4 Passivation: A Computational Study
3, ALD and Etch Synergy to Enable the Next Scaling Innovations
4, The Journey of ALD High-k Metal Gate from Research to High Volume Manufacturing
1, Steven Consiglio‚ Robert Clark‚ Cory Wajda‚ and Gert Leusink (TEL Technology Center‚ America‚ LLC)
2, Du Zhang‚ Yu-Hao Tsai‚ Yanxiang Shi‚ and Mingmei Wang (TEL Technology Center‚ America‚ LLC)
3, Angelique Raley*1, K.L. Lee*1, X. Sun*1, Q. Lou*1, Y.T. Lu*1, M. Edley*1, S. Oyola-Reynoso*1, P. Ventzek*1, R. Clark*1, P. Biolsi*1, H. Masanobu*2, and A. Ranjan*3
*1 TEL Technology Center, America, LLC
*2 Tokyo Electron Miyagi Ltd.
*3 Tokyo Electron America, Inc.
4, Dina Triyoso, R. Clark, S. Consiglio, K. Tapily, C. Wajda, and G. Leusink (TEL Technology Center, America, LLC )
