デバイスエンジニア、プロセスエンジニア必見！ 2023年 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会
イベント概要
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開催日
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2023.09.19〜2023.09.23
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開催場所
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熊本城ホール（A会場）、熊本市民会館（B会場）、熊本市国際交流会館（C会場）、TKP熊本カンファレンスセンター（D会場）
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対象者
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デバイスエンジニア プロセスエンジニア
応用物理学会 秋季学術講演会が、9月19日から23日に熊本城ホールほか3会場で開催されます！今年もハイブリッド開催が予定されています。本学会は、半導体、光・量子エレクトロニクス、新素材など、それぞれの時代で工学と物理学の接点にある最先端課題、学際的なテーマに次々と取り組みながら活発な学術活動を続けています。
東京エレクトロン(TEL) と共著者からは、3件の招待講演、7件の発表が予定されています。また、一般公開企画として、オンラインでライブ配信される学生と若手研究者向けのシンポジウムが開催されています！どなたでも無料でオンライン聴講いただけます。TELからは、熊本の当社開発・製造拠点でプロセス技術開発に従事している女性エンジニア、宮原さんが招待講演に登場します！「半導体製造装置は技術も人も多様性満載！」をテーマに職場環境、エンジニアとしての仕事についてお話します。是非ご参加ください！
招待講演：
【一般公開】NT2 就活生必見！業界はあなたを求めている！～成長する半導体産業を未来へつなぐ多様な人財
9/21(Thu.) 9:20 - 11:50 口頭講演 A201会場
10:35 招待講演 21a-A201-5 半導体製造装置は技術も人も多様性満載！
N. Miyahara Tokyo Electron Ltd.
【現地会場のみでの開催・オンライン配信なし】T18 界面ナノ電子化学：深化する半導体ウェットプロセス
9/20(Wed.) 13:00 - 17:00 口頭講演 A202会場
13:30 招待講演 20p-A202-2
半導体枚葉式洗浄装置の開発について
I. Sugano Tokyo Electron Kyusyu Ltd.
【T19 日本が挑む最先端ロジックへの再挑戦】
9/21(Thu.) 13:30 - 16:55 口頭講演 A201会場
14:35 招待講演 21p-A201-4
先端世代のロジック技術の展望とそのソリューション
T. Yamamoto Tokyo Electron Ltd.
ポスター・口頭講演
【8.1 プラズマ生成・診断】
9/21(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 P会場
21p-P01-11 メチルアセチレンプラズマにおけるアモルファス炭素の成膜過程の赤外分光計測
A. Kuwada1, Y. Oishi1，M. Shinohara1, S. Tanaka1, T. Matsumoto2
1. Fukuoka Univ.
2. Tokyo Electron Technology Solution Ltd.
【8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理】
9/21(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 A302会場
10:00 21a-A302-5
3 MHzで駆動する容量結合Arプラズマの2次元 PIC-MCCシミュレーション
K. Denpoh
Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.
11:00 奨 21a-A302-9
任意波形放電を用いた水素化アモルファスカーボン膜の膜質制御
K. Ikeda1 , J. Lai1 , D. Wakita1 , K. Kamataki1 , T. Okumura1 , N. Yamashita1 , N. Itagaki1 , K. Koga1 , M. Shiratani1 , T. Shindo2 , T. Matsudo2
1. Kyushu Univ.
2. Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.
9/22(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 A401会場
10:30 22a-A401-7
低温における絶縁膜の擬ウェットプラズマエッチング
関根 誠1、飯島 祐樹2、須田 隆太郎2、大矢 欣伸2、木原 嘉英2、堤 隆嘉1、石川 健治1、堀 勝1
1名古屋大学、低温プラズマ科学研究センター
2東京エレクトロン宮城
10:45 奨 22a-A401-8
CF4/H2プラズマによるSiO2,SiN,a-C膜の低温エッチング
今井 祐輔1, 蕭 世男2, 関根 誠2, 飯島 祐樹3, 須田 隆太郎3, 大矢 欣伸3,
木原 嘉英3 ,堤 隆嘉2 ,石川 健治2 ,堀 勝2
1.名大院工
2.名大低温プラズマ科学センター
3.東京エレクトロン宮城
【17 ナノカーボン・二次元材料】
9/19(Tue.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 P会場
19p-P01-28
大電力パルススパッタリング(HPPS)を用いたグラフェン堆積のプラズマ供給電圧依存性
Y. Ooishi1, A. Kuwada1, M. Shinohara1, F. Maeda2, S. Tanaka3, T. Matsumoto3
1. Fukuoka Univ.
2. Fukuoka Institute of Technology
3. Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.
【17.3 層状物質】
9/19(Tue.) 9:00 - 11:30 口頭講演 A202会場
11:00 19a-A202-8
MOCVD法によるウエハスケール単層MoS2の高配向エピタキシャル成長
佐久間 芳樹1, 楊 旭1, 小野 佑樹2, 李 世勝1, 廣戸 孝信1, 奈良 純1, 池沢 道男3, 松本 貴士2
1.物材機構, 2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ, 3.筑波大物理
