デバイス、プロセスエンジニア必見！ 76th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC 2023)
イベント概要
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開催日
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2023.10.09〜2023.10.13
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対象者
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デバイスエンジニア プロセスエンジニア
10/9から10/13にかけて、第76回Gaseous Electronics Conference (GEC 2023) が米国ミシガン州アナーバーで開催されます。GECはアメリカ物理学会 (APS) の原子分子光物理分科会 (DAMOP) が毎年開催する国際会議です。参加者は世界各国におよび、プラズマ物理の基礎研究から応用まで、活発な議論がおこなわれます。エッチング装置や成膜装置など、幅広い製品ラインアップを有する東京エレクトロン (TEL) からは、共著案件と招待講演を含む3件の発表を予定しています！
Invited
-Session GW1.00004, Room: Michigan League, Henderson
State-of-the-art plasma etch process and technologies for high aspect ratio pattern
Presenter:
M. Tomura
Tokyo Electron Miyagi
Authors:
M. Tomura, M. Honda, Y. Kihara
Tokyo Electron Miyagi
-Session FT3.00001, Room: Michigan League, Koessler
In-situ Diagnostics for Plasma Enhanced ALD and CVD
Presenter:
J. Zhao, Tokyo Electron America
Authors:
J. Zhao1, J. Carroll1, P. L Ventzek1, C. Schlechte1, T. H. Yang2, T. Y. Wang2, S. Johnson2, J. G Ekerdt2, G. S Hwang2
1. Tokyo Electron America
2. University of Texas at Austin
Presentation
-Session GW1.00002 : Plasma Etching II, Room: Michigan League, Henderson
Plasma-based pseudo-wet mechanism for cryogenic SiO2 etching using hydrogen-contained fluorocarbon gases with an in-situ surface analysis
Presenter:
S.N. Hsiao, Nagoya university
Authors:
S.N. Hsiao1, M. Sekine1, T. Tsutsumi1, K. Ishikawa1, M. Iwata2, M. Tomura2, Y. Iijima2, T. Gohira2, K. Matsushima2, Y. Ohya2, M. Hori1
1. Nagoya university
2. Tokyo Electron
