ALD/ALE2024

東京エレクトロン(TEL)がスポンサーを務めるALD/ALE 2024が、8/4-7にフィンランドのヘルシンキで開催されます。
このカンファレンスでは、半導体デバイスの微細化に重要な技術である、原子層堆積法(ALD)と原子層エッチング法(ALE)に関する最新の研究発表がおこなわれます。

TELからは、ALD/ALEの委員会メンバーを務めるRobert Clark (TEL Technology Center, America)が半導体技術の原子スケール処理に関するチュートリアルをおこない、Eric Liu (TEL Technology Center, America) が、高度なパターン形成を可能にする原子層精密プロセスに関する ALE特別講義をおこないます。
その他、TELおよび共著者による基調講演、技術発表なども予定しています。ぜひご期待ください！

Sunday Afternoon, August 4
Tutorial and Perspective Session
3:30 p.m.
INVITED: TS-SuA-11
Thin Film Process Technologies for the Atomic Scale Era
Robert Clark, TEL Technology Center, America

Monday Morning, August 5
Plenary Session
11:15 a.m.
INVITED: PS-MoM-11
Atomic Layer Precision Process to Enable Advanced Patterning toward High-NA EUV Era
Eric Liu, TEL Technology Center, America

Tuesday Morning, August 6
ALD Fundamentals Session
11:15 a.m.
AF2-TuM-14
Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Boron Nitride
Marc Reynaud, University of Texas at Austin, USA
J. Zhao, J. Carroll, G. Blankemeyer, P. Ventzek, Tokyo Electron America, Inc.
J. Warner, J. Ekerdt, University of Texas at Austin, USA

Tuesday Afternoon, August 6, 2024
ALD Fundamentals Session
4:30pm
AF2-TuA-13
Quantum Chemical Investigation on the Reaction Mechanism of Atomic Layer Deposition of ZrO2 from Heteroleptic CpZr(N(CH3)2)3 Precursor and Ozone
Rabi Khanal, R. Joe, A. Dip, Tokyo Electron America, Inc.

Atomic Layer Etching Session
4:45pm
ALE2+AM-TuA-14
Ligand-Assisted Surface Layer Formation in Wet Atomic Layer Etching of Molybdenum
Tulashi Dahal, K. Abel, Tokyo Electron America Inc.
N. Levtchin, TEL Manufacturing and Engineering of America, Inc.
T. Hurd, A. Rotondaro, Tokyo Electron America Inc.

5:00pm
ALE2+AM-TuA-15
Wet Atomic Layer Etching of Ruthenium
Kate Abel, Tokyo Electron America, Inc.