2025 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits
イベント概要
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開催日
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2025.06.08〜2025.06.12
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開催場所
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京都
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対象者
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デバイスエンジニア プロセスエンジニア
半導体研究における最高峰の国際会議のひとつ、2025 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuitsが6月8日~12日に京都で開催されます！デバイス/プロセス技術と回路技術の両方を網羅する国際学会です。
世界を牽引する半導体業界のエキスパートが集結する本国際学会において、東京エレクトロン(TEL) コーポレートイノベーション本部の角村貴昭 がSymposium Chairを務めます。
TELは世界的コンソーシアムimecとの共著論文の発表に加え、U.S.を拠点に活躍するエンジニアAngelique Raleyが「Innovations and Challenges in the Advanced Packaging Era」と題したワークショップを開催します。このワークショップでは、EDA、AIチップ設計、サプライヤー、R&Dコンソーシアム、半導体製造装置メーカーから業界のリーダーが集い、先端パッケージングにおける技術トレンド、そして3Dスケーリングの利点を最大限に活用するために克服すべき課題について報告、議論されます。
世界の最前線で活躍するTELのエンジニアによる発表にぜひご期待ください！
#Technology Enabling Life
Regular Workshop 4
Sunday, June 8, 13:00-15:00
Innovations and Challenges in the Advanced Packaging Era
Organizer: A. Raley, TEL Technology Center, America
Technology Session 18 Interconnects
Thursday, June 12, 14:00-15:40
T18-3 - 14:50
Selective Deposition and Ruthenium Superfill Exploration Beyond A10 Node Interconnects
M. van der Veen*, G. Pattanaik**, T. Hakamata**, Y. Otsuki**, A. Romo Negreira**, J. Mayersky**, K. Yu**, R. Yonezawa**, H. Suzuki**, R. Clark**, A. Kumar Mandal*, A. Farokhnejad*, N. Jourdan*, P. Marien* , G. Murdoch*, H. Struyf*, A. Sepulveda Marquez*, S. Park*, J. Swerts* and Z. Tokei*
*imec
**Tokyo Electron
Abstract:
We demonstrate that selective Ru CVD can enable multilayer semi-damascene (SD) interconnects -at the critical metal levels in A10 node and below. In ring oscillator simulations, it is shown that Ru SD flows can benefit from barrierless Ru vias. The Ru CVD has excellent selectivity towards low-k 3.0 in MP21 vias. When Ru vias are combined with Cu wires, the MP24 chain resistance is lower compared to barrierless dual damascene (DD) Ru. Furthermore, we applied Ru superfill CVD in a low-k DD test vehicle at MP21-MP26. The Ru superfill does not induce line bending in SiO2 or in MP21 low-k lines due to its bottomup growth nature. The Ru superfill resistance scaling down to 70 nm2 is confirmed with the physical area. The selective and superfill Ru CVD are enablers of multilayer SD Ru interconnects for future nodes.
