ウェーハボンダー/デボンダー Synapse™シリーズ

Synapse™ Siは、多くの300mm CMOSイメージセンサ量産ラインに採用されているウェーハフュージョンボンディング（永久接合）装置Synapse™ Sの後継機種です。従来のSynapse™ Sと比較してアライメント精度を3σ 0.1um以下にまで向上させ、さらにフットプリントを半減させるコンパクトなデザインを採用し、かつハイスループット化も同時に実現しました。お客さまのご要求に合わせてブロックの拡張をおこなうことで、単位面積当たりの生産性をさらに向上させることも可能です。また前工程で実績のある洗浄モジュール、プラズマ処理モジュールの設計を踏襲することで、300mmウェーハボンディングシステムとして高い量産信頼性を実現しました。
シリコン酸化膜ウェーハなどの貼り合わせのみならず、配線遅延を大幅に低減し、高度なデバイス特性を実現するＣuハイブリッドボンディングの量産工程に実績を発揮しています。今後は、CMOSイメージセンサ以外にもさまざまなアプリケーションへの展開が期待されており、TELはこれらの新たなアプリケーションの開発、量産に貢献します。

Synapse™ V/Zは300mウェーハの効率的な仮接合、剥離プロセスを可能とするウェーハレベルボンディング、デボンディング装置です。ムーアの法則に主導されてきたこれまでの微細化技術に加え、More than Mooreとも呼ばれるTSV（Through Silicon Via）を用いた3次元実装技術による半導体の性能向上が現実のものとして確かな地位を築きつつあります。Synapse™ Vは、2枚のウェーハを仮接合するための材料塗布、乾燥、接合機能を搭載し、さまざまな接着材料を用いたウェーハボンディング一貫プロセスを1台の装置で実現しました。TELが独自に開発したウェーハアライメント機構およびウェーハ接合モジュールを搭載し、業界最高水準のTTV (Total Thickness Variation) と高いウェーハ接合精度を提供します。また、ウェーハデボンディング装置Synapse™ Z Plusには、ウェーハ剥離プロセスに必要なウェーハデボンド、デバイス・キャリアウェーハ洗浄機能を搭載し、TSV工程終了後の複雑な工程を1台の装置で実現しました。新たに開発された特殊機能により、厚さ50um以下という非常に薄いウェーハに対しても安定的な搬送とプロセス処理を実現しています。