TOKYO ELECTRON LIMITED

成膜 EXIM™シリーズ

次世代半導体に対応する柔軟性と拡張性を備えた、新コンセプト装置

EXIM™はプロセスモジュールをアプリケーションに応じて自由に配置できるという特長を備え、今後さらに複雑化する半導体成膜工程においてプロセス開発から量産までの柔軟な対応が可能なPVD装置です。不揮発メモリとして注目されているSTT-MRAMなどの次世代デバイス向け多層膜工程で実績を伸ばしており、今後は優れた柔軟性と拡張性を生かして順次アプリケーションを拡充します。

EXIM™

受賞歴

EXIM™は、垂直磁化型MTJ素子等の超多層膜メモリスタックにおいても高い生産性を提供するために、これまでにない柔軟性と拡張性を備えた成膜装置です。従来のPVD装置とは全く異なるコンセプトを用い、ニーズに従ってプロセスモジュールの自由なレイアウトを可能とし、開発から量産まで幅広くサポートします。また、新開発の成膜手法導入により、装置稼働率を向上するとともにパーティクル低減と良好な面内均一性、再現性を実現しました。さらに、スパッタソースとしてマルチカソード技術を採用することで、優れた界面制御性と組成制御性を提供します。垂直磁化型メモリスタックプロセスは、次世代メモリのキーデバイスとして注目されているSTT-MRAM製造過程で要となる、20層以上の超多層膜から構成される工程です。このような複雑な工程においても、EXIM™は高い生産性とプロセス性能の両立を可能にします。今後は本装置のコンセプトである優れた柔軟性と拡張性を生かして順次アプリケーションを拡充します。

シリーズの比較

 
EXIM™
EXIM™
Wafer size
(mm)
300
Availability New
Process Magnetic tunneling junction
Sputtering Source Multi cathode PVD
Safety S2/S8, CE
Substrates Si
Additional features Flexibility, Extendibility

EXIMは、東京エレクトロングループの日本およびその他の国における登録商標または商標です。