成膜 EXIM™/ LEXIA™-EX

EXIM™は、垂直磁化型MTJ素子等の超多層膜メモリスタックにおいても高い生産性を提供するために、これまでにない柔軟性と拡張性を備えた成膜装置です。従来のPVD装置とは全く異なるコンセプトを用い、ニーズに従ってプロセスモジュールの自由なレイアウトを可能とし、開発から量産まで幅広くサポートします。また、新開発の成膜手法導入により、装置稼働率を向上するとともにパーティクル低減と良好な面内均一性、再現性を実現しました。さらに、スパッタソースとしてマルチカソード技術を採用することで、優れた界面制御性と組成制御性を提供します。垂直磁化型メモリスタックプロセスは、次世代メモリのキーデバイスとして注目されているSTT-MRAM製造過程で要となる、20層以上の超多層膜から構成される工程です。このような複雑な工程においても、EXIM™は高い生産性とプロセス性能の両立を可能にします。今後は本装置のコンセプトである優れた柔軟性と拡張性を生かして順次アプリケーションを拡充します。

LEXIA™-EXは先端ロジック・DRAM・NAND向けに、様々なアプリケーションに適応する汎用型スパッタリング装置です。
従来機の特長である超高真空チャンバー、優れた膜厚・膜質・膜組成の均一性、モジュール拡張性を踏襲しつつも、装置フットプリントを約40％、CO₂排出量を約14%削減し、かつ搬送機能の最適化によりスループットは従来機の20%以上となる100wphを達成しました。
成膜チャンバーは従来の4ターゲットチャンバー(mPVD)に加え、2つの超大型ターゲットを搭載したdPVDチャンバーを開発しました。これによりDRAMキャパシタ用次世代ハードマスクや先端ロジック向け機能膜等、単層厚膜用途に対し更に高い成膜レートを提供可能となりました。