CLEAN TRACK™ LITHIUS™シリーズは、高いシェアと実績を持つCLEAN TRACK™ ACT™シリーズで培った高い技術開発力と、最先端の研究開発の成果による最新鋭の機能を搭載した、300mmウェーハ対応塗布現像装置です。 最先端プロセスへの拡張性、高スループット、省フットプリント、OEE(Overall Equipment Efficiency)向上、CoO (Cost of Ownership)削減をメインコンセプトとしており、その高い信頼性と生産性はワールドワイドのお客さまから評価されています。 最先端の業界スタンダード装置として、最先端技術と多様なニーズに対応すべく進化し続けています。
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ APは、高粘度材料やSpin-on Hard Mask材料へ対応するとともに、次世代パッケージング技術に必要なプロセス処理への最適化を図った300mmウェーハプロセス対応塗布現像装置です。
すでに多くのお客さまにご支持いただいているCLEAN TRACK™ ACT™ 12のコンセプトを継承し、高粘度材料やSpin-on Hard Mask材料へ対応するとともに、次世代パッケージング技術に必要なハードウェアやプロセスの最適化も図っています。また、最新のプラットフォームであるCLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ Zで採用されたアライメント機能付き新搬送系や薄型スピンモジュールを搭載することで、さらなる高信頼性、高生産性、および歩留まりの改善を実現しています。これまでCLEAN TRACK™シリーズで培った先端技術とお客さまの量産ラインでの実績をもとに、先端プロセスに限らずパッケージング市場においても、生産性・歩留まりの向上に貢献します。
ウェーハエッジ部 接触面積の比較
高粘度材料コーティングプロセス
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ Z
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ Zは、10nmノード以細の最新リソグラフィプロセスに対応した300mmウェーハプロセス用のレジスト塗布現像装置です。
すでに多くのお客さまから支持していただいているCLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ Vの基本コンセプトを発展させ、さらなる高スループット化とともに、今後のさらなる微細化対応として基本性能を向上させています。新たに低発塵搬送方式を採用することでウェーハ搬送精度向上を図り、ウェーハベベル非接触による裏面およびエッジ部のディフェクト抑制の機能を付加します。さらに、OEE（Overall Equipment Efficiency）改善およびランニングコストの低減コンセプトも継続し、お客様の製品の生産性向上に貢献します。また、EUVプロセスなどの先端プロセスにも拡張可能で、半導体製造において、効率的な生産環境の構築を強力にサポートいたします。
ウェーハエッジ部 接触面積の比較
微細線幅均一性コントロール
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V/LITHIUS Pro™ V-i
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ Vは、既に多くのお客さまから絶大な支持を受けておりますCLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™のデザインコンセプトを発展させ、さらなる高スループット化と共にOEE（Overall Equipment Efficiency）を極限にまで高め、一日あたりの処理能力(Wafer Per Day)の最大化を実現します。さらに、ダブルパターニング技術等へのプロセス拡張性も備え、最先端半導体工場における、効率的な半導体デバイス生産環境構築を強力にサポートいたします。
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™/LITHIUS Pro™ ｰi
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™は、生産性を向上させると同時に装置の設置面積を抑えることで、従来装置に比べクリーンルームの占有面積を大幅に小さくすることができる 300mmウェーハプロセス対応塗布現像装置です。本装置は、そのコアコンセプトであるOEE（Overall Equipment Efficiency）向上およびCoO低減を実現する東京エレクトロン独自の革新的技術を備えています。また、CLEAN TRACK™ LITHIUS Proは、斬新なプロセスとモジュールを適用することで最先端液浸リソグラフィプロセスにも対応します。さらに、複数の検査・測定モジュールが搭載可能となっており、独自のアドバンストプロセスコントロールを実現できます。
CLEAN TRACK™ LITHIUS™/LITHIUS™ i+
CLEAN TRACK™ LITHIUS™は、300mm/200mmウェーハプロセス対応レジスト塗布現像装置です。CLEAN TRACK™ LITHIUS™は、“Improved Process”、“Short Cycle Time Tool”、“Enhanced Network Solutions”の3つのコンセプトをもとに開発されました。より重要なプロセス技術への対応性・安定性を高めるとともに、短納期・短立ち上げ・改造容易化を実現することにより、市場変動の激しい半導体ビジネス環境に対応しています。
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| LITHIUS Pro™ AP | LITHIUS Pro™ Z | LITHIUS Pro™ V | LITHIUS Pro™ | LITHIUS™ | |
| Wafer size (mm) | 300 | 300 | 300 | 200,300 | 200,300 |
| Availability | New | New | New | New | Certified used |
| Throughput (wph) | 200 | Inline: 300 | Inline: 250 | Inline: 200 | Inline: 150 |
| Process | PI, Package, SOD, OCCF, etc. | EUV, Immersion, ArF, KrF, i-line, SOC | Immersion, ArF, KrF, i-line, SOC | Immersion, ArF, KrF, i-line, SOC | Immersion, ArF, KrF, i-line |
| Substrates | Si, Glass, Plastic | Si, Glass | Si, Glass | Si, Glass | Si, Glass |
| Additional features | Flexible configuration for multiple application, High reliability & productivity based on LITHIUS Pro™ Z system | High productivity & process performance, | High productivity, High throughput with small footprint, OEE improvement, Flexible configuration for double patterning process | High throughput with small footprint, | Metrology integration, |
| *OEE: Overall Equipment Efficiency |
CLEAN TRACK、LITHIUS Pro 、LITHIUS、CLEAN TRACK ACTおよびACTは、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。
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