成膜 NT333™シリーズ

今後、さらに広がりを見せるALD技術において最適なソリューションを提供

TEL初のセミバッチ式成膜装置NT333™は、従来方式のALDに利用されてきた時間分割式とは異なる独自の成膜手法により、高い品質と生産性を実現しました。ウェーハは1ステージ上に6枚搭載され、原料ガスの吸着と反応空間を遮蔽ガスにより分離する独自の機構により、ステージが1回転することで１回のALDサイクルが完結します。最適なガス供給・空間を形成しながら同時に回転数を高めることで高いスループットを実現し、最先端プロセスの量産に貢献しています。

NT333™

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NT333™はTEL初のセミバッチ式成膜装置です。ステージ上に6枚の300mmウェーハを搭載し、1回転で１サイクルのALDプロセスを完了する装置コンセプトをベースに、さらにALDサイクル内へ改質ステップを組み込むことで、従来のALD膜が課題としていた低温域での膜質の高品質化、およびアプリケーション毎に最適な膜ストレス調整を可能としました。ALDプロセスにおいては、反応ガスの十分な吸着・酸化による原子レベルでの膜厚制御性が求められます。さらに改質ステップが組み込まれた高品質な成膜プロセスの提供は、リーク特性などデバイス性能向上に直結するだけでなく、段差のある複雑な形状への高カバレッジ性、膜自体のエッチング耐性などを利用した３次元半導体デバイス構造の安定的生産に貢献します。NT333™に採用されている独自構造のプラズマユニット・シールドは、高速で回転するステージ上ウェーハにダメージを与えることなく、均質なプラズマ照射を実現し、均一な膜質を実現します。

サーマルALD酸化膜 (760℃)

DHFエッチング量 [nm]

シリーズの比較

	NT333™
Wafer size (mm)	300
Availability	New
Wafer per Chamber/System	6/12wafer
Process Chamber	2Chamber
Reactor	Thermal/Plasma
Features	High step coverage, High quality film, High throughput, Stress controllability, Low plasma damage
Process	SiO₂, SiN, High-k
Substrates	Si, SOI