SiCエピタキシャル Probus-SiC™シリーズ
省エネデバイスとして期待が高まるSiCパワー半導体の量産を最先端の技術でサポート
Probus-SiC™は、TELが半導体製造装置市場で培った真空技術、搬送技術、高温制御技術など最先端技術を取り入れ開発した自動化対応のSiCエピタキシャル成膜装置です。SiC市場の成長に合わせ進化する市場ニーズに耳を傾け、常に最先端の技術を取り入れることで、生産現場が求める装置をいち早く実現してきました。その結果、プロセス性能はもとより量産現場で求められる安全性、メンテナンス性、操作性、信頼性を持ち合わせた装置で、その性能は世界中の量産現場で高い評価をいただいています。
Probus-SiC™は、3/4/6インチSiC基板対応のSiCエピタキシャル成膜装置です。ウェーハの複数搭載が可能なセミバッチ方式のプロセスモジュールを2基搭載する拡張性を持ち、開発から量産まで目的に合わせた装置構成を選択することが可能です。また、ウェーハサイズの変更はホルダと呼ばれるトレーを変更する簡易な方式で、ウェーハの大口径化にも効率的に対応します。
進化を続けるSiC市場では、より高いデバイス性能が求められており、欠陥の少ない、均一性の高い膜質が要求されます。Probus-SiC™は誘導加熱方式を採用したホットウォールタイプのセミバッチ炉で、最高1,725度という非常に高温な領域においても高精度な制御を可能にし、低欠陥膜質を確保しました。また、チャンバー内におけるガス供給方式を工夫し、優れた膜厚均一性を実現しています。薄膜、厚膜、積層膜、Si面、C面、低オフ角制御、トレンチ埋め込みなど、各種アプリケーションへの取り組みを進め、豊富な知見でSiCデバイスの量産を強力にサポートします。
ウェーハ上結果
エピ膜再現性データ (5枚/3ラン)
シリーズの比較
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| Wafer size (mm) |
75 | 100 | 150 | 200 |
| Availability | New | |||
| Product carrier load per chamber | 8 | 7 | 3 | 1 |
| Max chambers | 2 | |||
| Throughput (process time) | <165min @10um thickness | |||
| Process temps (℃) |
1500-1725 | |||
| Chamber heating | Induction( hot wall) 1500 – 1725℃ | |||
| Safety | S2, S8, CE | |||
| Applications | Si-face, C-face, N type, P type | |||
| Additional features | Mixed wafer size vis platter | |||
Probus-SiCは、東京エレクトロングループの日本およびその他の国における登録商標または商標です。
