エッチング装置 Tactras™ シリーズ

発売以来 確かな実績で微細加工の最先端を支え続ける

Tactras™シリーズは、省スペースを追求したチャンバーの水平対向設計における業界のパイオニアです。2006年の発売以来進化を続け、搬送速度、フットプリントは世界最高水準を達成する、信頼され続けている装置です。現在も多くのお客さまに採用されています。

Tactras™は、2006年の発売以来、高い信頼性と高生産性を提供する300mmウェーハプロセス対応プラズマエッチング装置です。
半導体デバイスの微細化、高密度化を実現するため、デバイス構造が3次元化へと移行し、エッチング加工への要求は年々高まっています。高まる技術要求に対応すべく、Tactras™はエッチングの用途に応じ、高アスペクト比エッチング、マスク&絶縁膜エッチング、BEOL 絶縁膜エッチング向けに、それぞれカスタマイズされた仕様を提供します。また、ベース設計を共有しているため、改造により用途を切り替えることが可能なフレキシビリティを持つことが特徴のひとつです。さらに、デバイス構造がより複雑に多工程化しているなかにおいても歩留まり向上は必要不可欠となっており、Tactras™に搭載可能なエッチングチャンバーはプロファイル形成時のウェーハ面内均一性確保、ウェーハ間バラツキ抑制、高選択比などを実現すべく、アプリケーションが求めるエッチング要求と高エッチングレートの両立を実現しながら高い生産性を確保するための最適な設計技術を盛り込んでいます。Tactras™には各アプリケーションに対応可能な最大6つのエッチングチャンバーの搭載が可能で、装置間・チャンバー間の機差を極小化するロバスト設計、パーティクル低減技術、ユニット検査組立の採用、自動化による省人化など、生産技術ノウハウを集結した装置運用の提供によりお客さまの生産性向上に貢献しています。

シリーズの比較

pro-tham-pc_82.jpgのサムネイル画像EpisodeUL.jpg
Tactras™Episode™ ULCertas™ LEAGA™
Wafer size (mm)300300300
AvailabilityNewNewNew
Number of chambers1-61-121-6
Application

Dielectric, Conductor,

Reactive Ion Etch

Dielectric, Conductor,

Reactive Ion Etch

Dielectric,

Chemical Dry Etch

SubstratesSiSiSi
SafetyS2, CES2, CES2, CE