エッチング装置 Tactras™シリーズ

2006年発売以来 確かな実績で微細加工の最先端を支える

Tactras™シリーズは、300mmウェーハの真空連続搬送を可能にしたプラズマエッチング装置です。最大で6つのドライエッチ、および後処理チャンバーを選択搭載可能なシステム構成で、搬送速度、フットプリントは世界最高水準を達成しており、2006年の発売以来進化を続けながら、現在も多くのお客さまに採用されています。

Tactras™ Vigus™

Tactras™ Vigus™は、高い信頼性と高生産性を提供する300mmウェーハプロセス対応プラズマエッチング装置です。
半導体デバイスの微細化、高密度化を実現するため、デバイス構造が3次元化へと移行し、エッチング加工への要求は年々高まっています。高まる技術要求に対応すべく、Tactras™ Vigus™ はエッチングの用途に応じ、高アスペクト比エッチング、マスク&絶縁膜エッチング、BEOL 絶縁膜エッチング向けに、それぞれカスタマイズされた仕様を提供します。また、ベース設計を共有しているため、改造により用途を切り替えることが可能なフレキシビリティを持つことが特徴のひとつです。さらに、デバイス構造がより複雑に多工程化しているなかにおいても歩留まり向上は必要不可欠となっており、Vigus™はエッチングによるプロファイル形成時のウェーハ面内均一性確保、ウェーハ間バラツキ抑制、薄膜化するストップレイヤーに対する高選択比などを実現すべく、アプリケーションが求めるエッチング要求と高エッチングレートの両立を実現しながら高い生産性を確保するための最適な設計技術を各々盛り込んでいます。Tactras™プラットフォームには最大6つのVigus™チャンバーの搭載が可能で、装置間・チャンバー間の機差を極小化するロバスト設計、パーティクル低減技術、ユニット検査組立の採用、クリーンルームの省人化など、生産技術ノウハウを集結した装置運用の提供によりお客さまの生産性向上に貢献しています。

Certas LEAGA™

Certas LEAGA™は300mmウェーハに対応し、洗浄液を使用せずに表面エッチング、クリーニングをおこなうことのできる、環境に優しいハイスループット型ガスケミカルエッチング装置です。完全にドライ化されたプロセスユニットは、ウォーターマークレス、各種酸化膜エッチングでのユニークな選択比、微細な界面クリーン制御を特長とし、TELの洗浄装置との併用において一層高いフレキシビリティを実現します。半導体デバイスの微細化、構造の複雑化に伴い多様化を増すプロセスニーズに応えながら、プラズマレス処理による高い稼働率、低コスト処理を実現しました。ウェーハの2枚同時処理、プロセスチャンバーを最大6基まで搭載可能なCertas LEAGA™は、自由に組み替え可能なプロセスユニットを提供し、さらなる高生産性を追求し続けています。シリコンコンタクト前の表面クリーニング、シリコン酸化膜除去およびエッチバック、ハイアスペクト3次元構造の選択エッチング処理や、高精細なリセス処理など、量産から次世代開発まで幅広いアプリケーションに対応します。

  • 熱酸化膜選択比

  • HCD-SiN選択比とDCS-SiN選択比 (vs SiO2)

Tactras™ Vesta™

Tactras™ Vesta™は、300mmウェーハプロセス対応プラズマエッチング装置です。平行平板型プラズマの装置コンセプトを生かしつつ、高周波化を実現し、プラズマ密度と解離のコントロール性を向上させています。Vesta™には、プラズマ電子密度のコントロールが可能となるユニークなPDC(Plasma Distribution Control)技術が搭載されており、Memory最先端の特定アプリケーションにおいて高いシェアを有しています。

Tactras™ RLSA™

Tactras™ RLSA™は、TELが長年研究を重ねてきた画期的な新プラズマ技術を実用化したプラズマエッチング装置です。マイクロ波テクノロジーによるラジカルリッチで低い電子温度をもつ拡散系プラズマにより、高選択比と高速エッチングを両立し優れた形状加工を提供します。また、マイクロ波ブロードバンド化技術の採用により、マイクロ波の出力安定化による高い再現性、広いプロセスオペレーション範囲を実現しました。ラジカル/イオン比率の高精度な制御性により、高い形状加工性能を有しています。Tactras™ RLSA™はLogic最先端の特定アプリケーションにおいて、高いシェアを有しています。

Tactras™ DRM

Tactras™ DRMは、ダイポールリングマグネット(Dipole Ring Magnet)を有するDRMチャンバーを搭載したシステムです。DRMチャンバーは水平磁場のアシストを用いて中密度低解離を実現するマグネトロンエッチング装置です。使用しているダイポールリングマグネットの磁場構造は、勾配磁場であり、この勾配磁場構造により、均一なプラズマを確保することを可能にしています。1990年代の発売以来、現在でも多くのお客さまのもとで稼動し、半導体の普及に貢献しています。

Tactras™ SCCM™

Tactras™ SCCM™は、上部/下部電極それぞれにRF電源を持つエッチングチャンバーを搭載したシステムです。プラズマ密度とイオンエネルギーの独立制御に優れた平行平板型プラズマ装置コンセプトにより、広範囲なプロセス領域における優れたプラズマ均一性を確保しました。1990年代の発売以来、現在でも多くのお客さまのもとで稼動し、半導体の普及に貢献しています。

シリーズの比較

Tactras™ Vigus™Certas™ LEAGA™Tactras™ Vesta™Tactras™ RLSA™Tactras™ DRMTactras™ SCCM™
ChamberVigus™Certas LEAGA™VestaRLSA™DRMSCCM™
Wafer size (mm)300300300300300300
AvailabilityNewNewNewNewNewNew
Number of chambers1-61-61-61-61-61-6
ProcessLow-k, Ox,
HARC, Line etch, ALE, SAQP, DD
Ox

Poly, SiN, Ox,
Contact, Mask, Spacer

Ox, SiN, Poly,
Speacer, Contact, HARC, SAC

Ox, SiN,
Contact, Trench, SAC, Spacer, DD
Ox, SiN,
Contact, Trench, SAC, Spacer, DD
SubstratesSiSiSiSiSiSi
SafetyS2, CES2, CES2, CES2, CES2, CES2, CE