成膜 TELINDY™シリーズ
累計1万台を超える実績を持ち、さらに進化を続ける300mmウェーハ対応熱処理装置
TELINDY PLUS™は、半導体製造プロセスの中で基本となる酸化・アニール・成膜をおこなうバッチ式熱処理装置です。バッチ式の特長ともいえるホットウォール内の熱均衡空間での処理により良好な膜質を実現し、クリーンルーム面積当たりの高い生産性を提供します。2000年以前の300mm量産開始時に比べ、着実に処理枚数を向上させ、さらに最先端デバイスの微細化・3Ｄ化に対応するため、IRad™などのALDや低温アプリケーションを拡充してきました。最先端デバイスの量産をプロセス技術・生産性の両面から支え続けています。
TELINDY PLUS™は、TELFORMULA™が新たなセグメントとして創出した短TAT熱処理技術、量産性に優れたTELINDY™の特長を受け継ぎつつ、ウェーハ移載機構の改善・改良、新フレーム構造などのハードウェアにおける新技術を組み合わせ、さらに発展・進化させた熱処理装置です。既存CVD・酸化/アニールプロセスにおけるさらなるプロセス性能・生産性の向上のみならず、ALD領域へアプリケーションを拡充しました。また、TELINDY PLUS™で改良されたユニットレイアウトの最適配置はメンテナンス性を向上させ、作業時間短縮に貢献します。さらに装置の維持管理に必要なドライガスクリーニング技術の最適化や、さらなる低酸素濃度でのローディングエリア雰囲気制御技術などにより、プロセス再現性の向上を可能にしました。微小パーティクルを制御することで、製品の高品質化と歩留りの向上にも貢献します。同時に125枚仕様オプション、FTPS™ヒーター搭載、短TAT、2ボート運用にて高生産性を実現しています。
対応アプリケーションは、ALD SiO2、SiN、 High-k、CVD Si (Poly Si、a-Si)、SiO2、SiN、Oxidation、Radical Oxidation、Annealです。
CVD Si 表面形態
TELINDY PLUS™ IRad™は、高生産性・高信頼性バッチ式熱処理成膜装置TELINDY PLUS™プラットフォーム上にプラズマ源を搭載した画期的な熱処理成膜装置です。高精度なプラズマ制御機構により、プラズマダメージフリーな低温成膜プロセスを実現しました。デバイス構造の微細化のみならず、デバイス構造自体の3D化が進むなかで、熱ALDプロセスの限界を超えた低温化・高精度成膜制御を提供します。対応する主なアプリケーションは極低温ALD-SiN、極低温ALD-SiO2、in-situドライガスクリーニング機構を搭載し、デバイス不良の原因となるパーティクル抑制機能を搭載しています。
TELFORMULA™は、これまでのバッチ式装置が課題としていたウェーハ投入から回収までの時間（Turn Around Time:TAT）の最短化を実現した革新的な300mmウェーハ対応熱処理成膜装置です。短TATを具現化する要素として、プロセス処理時間およびウェーハ搬送時間の短縮に着目し、それぞれについて画期的な改良をおこないました。目的の処理温度に到達するまでにかかる昇温時間と、反応終了後の急速冷却を可能とする独自の高速昇降温ヒーターを開発・搭載し、同時にリアクター熱容量の最小化、ガス置換効率化の最大化を図りました。また、ウェーハ搬送時間短縮のための高速メカを新たに搭載し、短TAT化を実現しました。高清浄度実現のためにリアクター内部を完全石英面化、その維持のためにドライガスクリーニングを採用しています。
TELFORMULA™は、CVD Si (Poly、a-Si)、SiN、 SiO2、High-k ALD、常圧/減圧酸化、ラジカル酸化、酸窒化、各種アニールなど多様なアプリケーションに対応しています。
ALPHA-8SE™ iは200mm縦型バッチ式熱処理成膜装置です。「刷新」「継承」「進化」の3つのコンセプトをもとに、前機種であるALPHA-8SE™のリニューアル装置として2018年にリリースされ、その安定性および高生産性により、高い評価を得ています。
「刷新」
ALPHA-8SE™のリリースから20年以上が経過することを鑑み、本装置では生産中止となる可能性の高い部品を最新構成に刷新し、300mm縦型バッチ炉と部品共通化を図ることで安定・継続稼動を実現しています。
「継承」
ALPHA-8SE™シリーズのプロセスパフォーマンスが継続して実現可能なことに加え、各種アップグレードキットの提供が可能です。150/200mmウェーハサイズに対応し、一度に処理が可能な枚数は最大150枚です。Oxidation/Anneal, CVD Si（Poly, a-Si）、SiN、SiO2、またHigh-k膜を含めたALDまで、さまざまなアプリケーションに対応します。
「進化」
複数の改善・改良が施され、リニューアルしました。 装置の日常点検の省力化に向けて、より多くの装置パラメーターをコントローラーへ取り込み、その信号を装置操作画面、当社データ収集機能（Ingenio™）、およびお客さまのシステムに出力することで、装置のリモート監視機能が改良されました。加えて、作業の停滞や誤設定防止のための装置操作画面のオートログアウト機能の追加、また、効率加温・低アウトガス化を施した排気配管ヒーターの採用により、装置の操作性・機能性を向上させました。加えて、SEMI S2*1およびCEマーキング*2のワールドワイドの安全基準に適合しており、各地域へ単一仕様での装置提供が可能となりました。
*1 SEMI S2：半導体製造装置の環境、健康、安全に関するガイドライン。欧米の有力半導体デバイスメーカーを中心に、半導体のみならず、世界中で電気電子デバイス製造装置の安全仕様として採用されている装置安全設計に関するガイドラインとなっている
*2 CEマーキング：欧州EU圏に製品を輸出する際にはEUが定めたルール（指令）に従い、その製品が安全であることを確認し、その証としてCEマークを表示することが定められている
シリーズの比較
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| Wafer size (mm) |
300 | 300 | 300 | 150, 200 |
| Availability | New, Certified used | Certified used | New | New |
| Production load max | -125 | -50 | -125 | -150 |
| Cassette stocker | -18 | -10 | -18 | -21 |
| Process | Thermal ALD, LPCVD, Oxididation/Anneal |
Oxide, Anneal, Nitride, Poly, TEOS, High-k |
Plasma Assisted ALD SiN, SiO2* |
Oxide, Anneal, Nitride, Poly, TEOS, HTO, High-K |
| Reactor | Thermal | Thermal | Plasma | Thermal |
| Process temp | RT-1100C | RT-1000C | RT-800C | RT-1250C |
| Additional features, Option | N2/LL Gas cleaning |
N2/LL Gas cleaning |
N2/LL Gas cleaning *RT SiO2 |
N2L/L, Gas cleaning: ClF3 for Poly |
TELINDY、TELINDY PLUS、TELFORMULA、IRad、FTPSおよびALPHA-8SEは、東京エレクトロン株式会社の日本およびその他の国における登録商標または商標です。
