ガスクラスターイオンビーム UltraTrimmer シリーズ

業界最高水準のトリミング機能で、高周波デバイスの品質向上に貢献する歴史と実績

スマートフォンの高機能化、クルマのインテリジェンス化など5G時代が目前に迫った通信機能のさらなる向上と、IoTによりさまざまなデバイスがつながる時代の本格到来に備え、RFフィルターを多用する高周波デバイスへのニーズはますます高まっています。RFフィルターやMEMS、フォトニックデバイスなどのデバイスパラメータを決定する、膜厚や表面粗さを精密に制御するためのトリミング工程にUltraTrimmerシリーズのガスクラスターイオンビーム(GCIB)を用いたエネルギーの高い異方性ケミカルビームが使用されています。最新の開発により、サブナノメートルの膜厚制御、非常に広いダイナミック補正レンジ、高い処理スループットなどの優れた性能を得ることが可能となりました。UltraTrimmerシリーズは、さまざまな基板処理のためのカスタムプロセスを実現し、デバイスの歩留まりおよび性能向上に貢献しています。

UltraTrimmer Plus™

UltraTrimmer Plus™は、ウェーハ表面の不均一性を低減して材料のトリミング量を制御するユニークな修正エッチング機能を有する100/150/200mmウェーハプロセス対応装置です。業界最高クラスのCoOを提供します。同一ウェーハ面内または異なるウェーハ間での製造特性や材料特性のばらつきを考慮し、クリティカル層の修正エッチングまたは材料改質をおこなうことでデバイスのばらつきを大幅に低減、歩留まりを改善することが可能です。独自のLSPソフトウェアと高精度X-Yウェーハスキャニングシステムを組み合わせ、APC(高度プロセス制御技術)を用いてウェーハ表面の膜厚平坦化やトレンチ/ホールのエッチング深さプロファイルを改善します。また、シームレスなウェーハ保持機能により、ハードウェアの改造をおこなうことなくウェーハのサイズ交換が可能で、ケミカルエッチング、メカニカルエッチングによるSAW、BAW、FBAR周波数トリミング、MEMSほかタイミングデバイスの膜厚スムージングなど、さまざまなアプリケーションを提供しています。

  • LSPエッチング技術によるばらつき低減・歩留まり向上(1)

  • LSPエッチング技術によるばらつき低減・歩留まり向上(2)

シリーズの比較

UltraTrimmer Plus™
Wafer size (mm)100,150,200
AvailabilityNew
ProcessGCIB(Gas Cluster Ion Beam)
GasNF3, O2, N2, Ar
Performance1σ thickness variation <1nm
ApplicationsEtching(Frequency trimming, Thickness trimming),
Film Conversion(Oxidation, Nitridation),
Film smoothing …etc.
FeaturesHigh throughput and low CoO,
Corrective etching (Location specific processing),
Room temperature process(No damage, Charging)