TOKYO ELECTRON LIMITED

エッチング UNITY™シリーズ

SiC加工で再び脚光を浴びる、ロングセラーのエッチングシステム

UNITY™ は、200mmウェーハ量産ラインにおいて高いコストパフォーマンスを実現するエッチング装置で、優れた生産性と高い信頼性を達成しています。近年、パワーデバイス向けSi/SiCトレンチ加工用として高い性能を発揮し、継続して高い評価をいただいています。

UNITY™ Me+は、 200mmウェーハ以下におけるプロセス加工で高評価を得たドライエッチング用のプラットフォームUNITY™ Meの後継機種です。2021年にUNITY™ Meのリニューアルをおこない、長きにわたるサポートが可能となりました。SiO2/SiN加工用DRM 、SCCM™チャンバーに加え、Si/SiCトレンチ加工用チャンバーの搭載が可能で、100mm/150mm/200mmのウェーハに対応し、Siウェーハ以外にもSiCやLT LNなどの幅広い化合物ウェーハに対する実績があります。お客さまのプロセス課題を克服し、求められる性能を実現するため、社内評価機を用いたプロセスデモ評価をおこなっています。

シリーズの比較


 
UNITY™ Me+ Ox
UNITY™ Me+ Ox
UNITY™ Me+ Si & UNITY™ Me+ SiC
UNITY™ Me+ Si &
UNITY™ Me+ SiC
Chamber SCCM™ DRM UD
Wafer size
(mm)
200 100,150,200 100,150,200
Availability New, Certified used New, Certified used
Number of chambers 1-4 1-4
Process Ox, SiN, HM, EB, Contact, Via,
Trench, SAC, Spacer, DD
Trench, EB, TSV
Substrates Si, glass, SiC, sapphire, LN, LT, AlTic Si, SiC, Glass
Safety S2, CE, ROW S2, CE, ROW
Additional sizes w/wafer holder (mm) square 75, square N/A

UNITYおよびSCCMは、東京エレクトロングループの日本およびその他の国における登録商標または商標です。