エッチング装置 UNITY™シリーズ

SiC加工で再び脚光を浴びる、ロングセラーのエッチングシステム

UNITY™ Meは、200mmウェーハ量産ラインにおいて高いコストパフォーマンスを実現するエッチング装置で、優れた生産性と高い信頼性を達成しています。近年、パワーデバイス向けSi/SiCトレンチ加工用として高い性能を発揮し、継続して高い評価をいただいています。

UNITY™ Me

UNITY™ Meは、TELが開発した200mm以下のドライエッチ用のプラットフォームで、現在もなお、新たな受注と高い評価をいただいています。SiO2/SiN加工用DRM、SCCM™チャンバーに加え、Si/SiC加工用UDチャンバーの搭載が可能で、4/ 6/ 8インチウェーハ処理に対応します。さまざまなプロセス課題を克服し、求められる性能を実現するため、社内評価機を用いてユニットプロセス開発および製品の歩留まり評価をおこなっています。

シリーズの比較

UNITY™ Me OxUNITY™ Me Si &
UNITY™ Me SiC
ChamberSCCM™DRMUD
Wafer size (mm)200100,150,200100,150,200
AvailabilityNew, Certified usedNew, Certified used
Number of chambers1-41-4
ProcessOx, SiN, HM, EB, Contact, Via,
Trench, SAC, Spacer, DD
Trench, EB, TSV
SubstratesSi, glass, SiC, sapphire, LN, LT, AlTicSi, SiC, Glass
SafetyS2, CE, ROWS2, CE, ROW
Additional sizes w/wafer holder (mm)square75, squareN/A