300mmウェーハ接合デバイス向け先端レーザ剥離装置Ulucus™ LX販売開始のお知らせ

　東京エレクトロン(TEL、東京都港区、社長：河合利樹)は、300mmウェーハ接合デバイス向けレーザ剥離装置Ulucus™ LXの販売を開始することをお知らせします。

　AI時代の到来により、半導体デバイスの性能向上・エネルギー効率化の重要性が高まる中、ウェーハ永久接合技術を用いた3次元実装は今後の半導体デバイスの進化に不可欠な技術となっています。微細化に並ぶ重要な高集積化技術として、ウェーハ永久接合工程は、多様な半導体デバイスへの採用拡大や接合回数の増加により、技術難易度がますます高まっています。その中でも、ウェーハ永久接合工程において不要なシリコンウェーハを除去する研削工程は、加工時に大量の冷却水を必要とし、研削加工時の歩留まり低下や有効チップ数の制限を招くため、サステナブルかつ生産性向上に寄与する技術革新が求められています。

　Ulucus™ LXはこのようなニーズに応えるため、当社が開発したレーザ剥離技術を備え、レーザ照射・ウェーハ分離・洗浄の加工を一つの装置でおこなうことを可能とした革新的な装置です。高度なレーザ制御やウェーハ分離、そして枚葉洗浄装置（NSおよびCELLESTA™シリーズ)で培った洗浄技術と、数多くの出荷実績がある塗布現像装置LITHIUS Pro™ Zのプラットフォームを融合し実現しました。

　本装置の導入により、現在、ウェーハ永久接合工程で使用されるシリコンウェ—ハへの裏面研削、研磨、薬液によるエッチングをはじめとした複数のプロセスを置き換え、純水使用量を従来比90%以上*削減することが可能です。また、ウェーハ外周部を除去する従来型のエッジトリミング加工を不要とするため、ウェーハ当たりの有効チップ数の増加に貢献します。加えて、本装置を用いて剥離したシリコンウェーハを再利用する技術も開発中です。

　東京エレクトロン ATS BUGM 佐藤陽平は、「半導体の微細化に加え、さらなる性能進化に向けて3次元高密度実装が加速しています。その中でも、ウェーハ接合は重要工程の一つであり、とりわけ接合後の薄化工程において、技術革新の期待が高まっています。このたびリリースしたレーザ剥離技術を実現するUlucus™ LXは、生産性向上と環境負荷の低減へ寄与する革新的なソリューションです。これからも、お客さまのニーズに貢献すべく技術開発と製品投入を続けてまいります。」と述べています。

*当社試算、従来工程の裏面研削・エッジトリミング加工との比較

Ulucus、LITHIUS Pro、CELLESTAは、東京エレクトロングループの日本およびその他の国における登録商標または商標です。