エッチング装置 Certas™ シリーズ

等方性エッチングの要として市場の期待に応え続ける

Certas™ シリーズは、環境に優しいハイスループット型ガスケミカルエッチング装置です。高いエッチング選択性、均一性、残渣除去およびラフネス低減を実現し、先端デバイスに貢献します。

Certas LEAGA™

Certas LEAGA™は300mmウェーハに対応し、洗浄液を使用せずに表面エッチング、クリーニングをおこなうことのできる、環境に優しいハイスループット型ガスケミカルエッチング装置です。完全にドライ化されたプロセスユニットは、ウォーターマークレス、各種酸化膜エッチングでのユニークな選択比、微細な界面クリーン制御を特長とし、TELの洗浄装置との併用において一層高いフレキシビリティを実現します。半導体デバイスの微細化、構造の複雑化に伴い多様化を増すプロセスニーズに応えながら、プラズマレス処理による高い稼働率、低コスト処理を実現しました。ウェーハの2枚同時処理、プロセスチャンバーを最大6基まで搭載可能なCertas LEAGA™は、自由に組み替え可能なプロセスユニットを提供し、さらなる高生産性を追求し続けています。シリコンコンタクト前の表面クリーニング、シリコン酸化膜除去およびエッチバック、ハイアスペクト3次元構造の選択エッチング処理や、高精細なリセス処理など、量産から次世代開発まで幅広いアプリケーションに対応します。

  • 熱酸化膜選択比

  • HCD-SiN選択比とDCS-SiN選択比 (vs SiO2)

シリーズの比較

EpisodeUL.jpgpro-tham-pc_82.jpgのサムネイル画像
Certas™ LEAGA™Episode™ ULTactras™
Wafer size (mm)300300300
AvailabilityNewNewNew
Number of chambers1-61-121-6
Application

Dielectric,

Chemical Dry Etch

Dielectric, Conductor,

Reactive Ion Etch

Dielectric, Conductor,

Reactive Ion Etch

SubstratesSiSiSi
SafetyS2, CES2, CES2, CE