TOKYO ELECTRON LIMITED

Power Device (Si / SiC / GaN)

  • Autonomous Mobility
  • Green Energy

EV(電気自動車)、HV(ハイブリッド車)、自動運転技術、太陽光などの再生エネルギーに代表されるより大きな電力・電流・電圧の制御が必要とされる分野で活用されている。パワー半導体の基板材料は従来のシリコン(Si)から、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)の普及が見込まれ、さらなる高性能化、高効率化が求められている。

SiC Power Deviceに対するTELのソリューション

Epitaxial Growth

Probus-SiC™

75~150mm用SiCパワー半導体製造向けSiCエピタキシャル成膜装置。真空下高温制御等の最先端技術を導入し優れた膜厚・濃度均一性を実現。

対応プロセス
n-SiC,SiC Sub

Hard Mask

ALPHA-8SE™i

200mm以下ウェーハ対応バッチ式熱処理成膜装置。装置の安定・継続稼動に向けた操作性・機能性の向上とともに、ワールドワイドの安全基準に適合。

対応プロセス
TEOS,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

Photoresist Coat & Develop

CLEAN TRACK™ ACT™8Z

75~200mmウェーハ対応の塗布現像装置は各種基板対応(Si、GaAs、GaN、SiC、Thin&Thick他)が可能。SOD塗布成膜も対応可能。

対応プロセス
PR,TEOS,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

Ox Etch In-situ Ash

UNITY™ Me+ / DRM chamber

100~200mmウェーハ対応プラズマエッチング装置。量産ラインにおいて高いコストパフォーマンスを実現し、優れた生産性と高い信頼性を達成。

対応プロセス
TEOS,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

SiC Trench Etch

UNITY™ Me+ / UD chamber

100~200mmウェーハ対応プラズマエッチング装置。量産ラインにおいて高いコストパフォーマンスを実現し、優れた生産性と高い信頼性を達成。

対応プロセス
TEOS,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

Gate Dielectric formation by ALD

ALPHA-8SE™i

200mm以下ウェーハ対応バッチ式熱処理成膜装置。装置の安定・継続稼動に向けた操作性・機能性の向上とともに、ワールドワイドの安全基準に適合。

対応プロセス
p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

Poly Si

ALPHA-8SE™i

200mm以下ウェーハ対応バッチ式熱処理成膜装置。装置の安定・継続稼動に向けた操作性・機能性の向上とともに、ワールドワイドの安全基準に適合。

対応プロセス
Poly Si,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

Batch Spray Cleaning

ZETA™+

300/200mmウェーハ対応全自動バッチスプレー洗浄装置。最適な搬送清浄度環境を提供するミニエン機構を装備したFOUP/SMIFに対応、低コストのセミオート仕様も可能。

Scrubber

NS300+ 200mm Conversion

200mm/150mmウェーハ対応スクラバー洗浄装置。300mm次世代デバイス向け洗浄プロセス技術を搭載し、高い信頼性と生産性を実現。